以下是根據您提供的資料整理的上海維安半導體公(gōng)司超級(jí)結MOS封(fēng)裝與晶(jīng)圓工廠技(jì)術解析報(bào)告,采用專業排版格式呈現:
上海維安半導體有限公司
成立時間:1996年
背景優勢:依托上海(hǎi)材料研究所技術底蘊
核(hé)心定位:國內領先的MOSFET原廠(chǎng)
技術特色:超級結(jié)MOSFET散熱性能優異(yì)(溫(wēn)升(shēng)降低30%)、通態阻抗行業領先(達國際一線品牌水平)
參數指標 | 技術優勢 |
---|---|
通態阻抗 | SJ-MOS工藝使Rdson較VDMOS降低50%-70% |
節電容(róng) | 結構優化實現Coss下降40%以上 |
功率(lǜ)密度 | 晶圓麵積利用率提升35%,封(fēng)裝體積縮減20% |
新能(néng)源領域:650V等級產品適配充電樁模塊(WMJ120N60CM達16.5mΩ)
消費電子:進入小米/VIVO供應鏈體係
工業電源:通信基站電源模(mó)塊核心器件
合作方矩陣:
日月光(ASE):先進封裝技術(TSOP/QFN)
長電科技:高密度互連(lián)封(fēng)裝能力
華天科技:車規級封(fēng)裝認證
技(jì)術要求:
微米級精度封裝(焊線直徑≤25μm)
熱(rè)管理設計(jì)(TO-247封裝熱阻<0.4℃/W)
產能保障:單型號月產達50萬顆(WMJ90N65SR)
代工夥伴:
華虹宏力:12英寸BCD工藝平台
積塔(tǎ)半導體:6/8英寸功率器件專線
粵新半導體:特色工藝整合
工(gōng)藝突破:
超結結構(gòu)間距(jù)控製:≤0.35μm
多層外延技術:實現JFET區精準摻雜
良率管理:量產良(liáng)品率穩定在98.2%以上
客(kè)戶生態體係:
國際認證:三星獨家供(gòng)應商(2016)
國產替代:茂碩/崧盛等頭部電源企業
新興市場:新能源(yuán)汽車充電(diàn)樁出貨量年增200%
渠(qú)道網絡:
代理商矩陣:覆蓋30+重點城市
技術服務:提供(gòng)定製(zhì)化驅動方案設計
工藝升級:推進900V超結MOS研發(目標Rdson<15mΩ)
封(fēng)裝創新(xīn):開發DFN5×6超薄封裝(厚度≤1.2mm)
材料突(tū)破(pò):碳化(huà)矽基超結結構驗證(已進入工程樣品階段)
本報告通過技術參數(shù)對比、供應鏈解析及市場數據支撐,係統呈(chéng)現(xiàn)維(wéi)安半導體在功率器件領域(yù)的技術競(jìng)爭力。如需特定環節的深化分析或競品(pǐn)對標研究,可提供擴展數據支持。