提到碳化矽（SiC），人們的（de）第一反應是其性能優勢，如更低損耗、更高（gāo）電壓、更高頻率、更小尺寸和更高結溫，非常適合製造大功率電子器件；如果說到應用，大多數人都（dōu）會說它成本太高，推（tuī）廣起來需假以時（shí）日，等等。事實上，在一些有性能、效率、體積、散熱，甚至係統成本有要求的應用中，典型代表行（háng）業如電源。

那麽，基於（yú）如此明顯的優勢的碳化矽材料製成的碳化矽肖特基器件能帶來哪（nǎ）些優勢呢？

1、器件自（zì）身優勢：擊穿電壓高（常用電（diàn）壓有650V/1200V）、可靠性高（結溫175℃ ）、開（kāi）關損（sǔn）耗小和（hé）導通損耗小、器件反向恢複（fù）時間幾（jǐ）乎為0，且恢複電壓應力較小（xiǎo）（參考下（xià）圖），有利於降低係統噪聲，提高EMI裕量。

2、應用優勢：在CCM PFC電路中，碳化矽（guī）肖特基較小的反向（xiàng）恢複電流可以降低主功率MOSFET開啟（qǐ）瞬間的電流應力，從而使它能夠以較（jiào）少的熱損失轉換電能，矽半導體必須大得多才能實現相同的（de）性能。這體現（xiàn）在產品上，即碳（tàn）化矽（guī）肖特（tè）基在（zài）降低電源溫度提高轉換效率的同時還能顯著減小電源的尺寸，這將為製造商帶來巨大的效益。

功率半導體作為電力係統的組成部分，是提（tí）升能源效率的決定性因素之一。在肖特基發展曆程中（zhōng），追（zhuī）求更低損耗是行業一（yī）直以（yǐ）來的共（gòng）同目標（biāo），肖特基器件損（sǔn）耗主要由導通損耗和開關損耗導致（zhì），且無用功損耗會以發熱的行式釋放，使電源溫度升高。

從設（shè）計人員的角度來看，正向壓降與電容二者之間（jiān）的（de）平衡至關重（chóng）要，而使用新工藝可以帶來更優的綜合性能。目前碳化矽（guī）肖特基產（chǎn）品工藝節（jiē）點大致可以（yǐ）分為4個：

第一代產（chǎn）品芯片厚度以300μm以上為工藝節點（diǎn），常見厚度為300μm、350μm、390μm厚度。此工藝製造的芯片厚度較（jiào）厚，對加工過（guò）程中減劃、金（jīn）屬化等等工藝要求較低，但是缺點也是顯而（ér）易見的，由於（yú）芯片較厚（hòu）故很難在正向（xiàng）壓降和電容之間得到（dào）一個較優的綜（zōng）合（hé）性（xìng）能，目前國內少（shǎo）部分廠家（jiā）還（hái）沿用此工藝。

第二代（dài）產品以芯片厚（hòu）度為250μm為代表。目前國內廠家（jiā）量產產品大多采用此（cǐ）節點工（gōng）藝，維安第一（yī）代產品也是基於（yú）此節點工藝進行開發（目前已經更新到第三代），但是此工藝較國（guó）際一線大（dà）廠還有一定差距。

第三代產品以芯片厚度150μm為代表。這個工藝節點也是國內大多數廠家在21年底到22年初推出的（de）新工藝平台，大部（bù）分廠家目（mù）前還正在處於研（yán）發階段，部分（fèn）國際一線大廠量產產品采用150μm工藝節點（diǎn），例如CREE C6係列在此節點工藝（yì）進行開發，但此工藝具國際最優水平還有一定差距。

第四代（dài）產（chǎn）品以100μm厚度（dù）為代表。此工藝水平為（wéi）目前國際最優量（liàng）產水平，國際上英飛淩C6等產品采用此節點工藝（yì）進行開發，得到VF和電容性能的（de）綜合優勢，維安目前量（liàng）產主推（tuī）工藝也是采（cǎi）用此節（jiē）點，工（gōng）藝水平領先（xiān）國內主流1代~1.5代水平。

3年的潛心研（yán）發，加（jiā）之在開發過程中不斷自（zì）我優化迭代，維安碳化矽肖特基產品曆（lì）經（jīng）250μm、150μm、100μm三（sān）次更新，目前量產產品全部采用100μm節點（維安第（dì）三代）薄片工藝，通過降低芯片厚度（dù）降低導通損耗（hào）和使用縮小有效結麵積的方（fāng）法降低電容，使器件電流密度，導通損耗和開關損耗等器件參（cān）數性能（néng）優於同行業水（shuǐ）平。

手機等消費類電源、太陽能逆變電源、新能源（yuán）電動汽車及充電（diàn）樁、工業控製特種電源……作為一個重要的快速發展的應用領域，電源行業的發展受益於功率器件技術進步，反過來（lái）又推動（dòng）了功率（lǜ）器件的研發製造活動（dòng）。在電源模塊中使用碳化矽肖特基器件，具有以下優勢：

· 開關損耗極低；

· 較高的（de）開關頻率；

· 結（jié）溫高，從而降低了冷卻要求和散熱要求；

· 更小封裝，適合更（gèng）緊湊的（de）方案；

維安（ān）碳化矽肖特基推出以下係列產品（pǐn）：

維安產品仍在不斷自我優化，持續推出損耗更小，開關速度更高的碳化矽肖特基器件。維安碳化矽，讓您的（de）電源效率更高、工作溫度更低。

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