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全球碳化矽MOSFET主要品牌(pái)及其工廠規(guī)模(mó)的(de)梳理-日韩va中文字幕无码免费電子

以下是碳化矽MOS(SiC MOSFET)主要品牌及其工(gōng)廠規模的梳理,結合技術布局和市場競爭格局分析:


一、國際(jì)品牌

  1. 英飛淩(Infineon)(德國)

    • 工廠規模:馬來西亞居林工廠三期項(xiàng)目建成後將(jiāng)成(chéng)為(wéi)全球最大8英寸碳化矽晶圓廠,總投資超50億歐元,覆蓋襯底到封裝全產業(yè)鏈。

    • 技術優勢:車(chē)規級產品(pǐn)市占(zhàn)率領先,覆蓋650V-1200V電壓範圍,主攻電動汽車主驅逆變器市(shì)場。

  2. 意法(fǎ)半導體(STMicroelectronics)(瑞士)

    • 工(gōng)廠規模:全球布局研發中(zhōng)心,意大利、法國等地設有生產基地,碳(tàn)化矽產能持續擴張以滿(mǎn)足車規需求。

    • 市場地位:全球前五大(dà)廠商之(zhī)一,占約70%市場份額,主攻電動(dòng)汽車(chē)和工業領域。

  3. 羅姆(Rohm)(日本)

    • 工廠規模:在日本、東南亞等地(dì)設有SiC晶圓廠(chǎng),2023年宣布投資5.1億美元擴產,目標2030年碳化矽營收占比超30%。

    • 技術特點:早期布局碳化矽商業化,產品覆(fù)蓋650V-1700V,與車企深度合作。

  4. 安世半(bàn)導體(Nexperia)(荷蘭)

    • 工廠規模:荷蘭總(zǒng)部主導研發,美國、馬來西亞設廠,2024年啟動8英(yīng)寸碳化(huà)矽晶圓試產(chǎn),計劃(huá)2025年量產。

    • 應用領域:聚焦電動汽車驅動(dòng)係統和工業變頻器。

  5. Wolfspeed(美國)

    • 工廠規模:全球首家量產8英寸碳化矽襯底(dǐ),2024年襯底產能支撐25%晶圓產線利用(yòng)率,計劃進一步擴產。

    • 市場定位(wèi):襯底供(gòng)應龍頭,覆蓋車規級和工(gōng)業級市場。


二、中國品牌

  1. 三安光(guāng)電(Sanan)

    • 工廠(chǎng)規模:湖南(nán)三安擁有16,000片/月6英(yīng)寸(cùn)產能,8英寸襯底(dǐ)試生產,車規(guī)級MOSFET進入驗證(zhèng)階段。

    • 技術進展:工規級1700V/1Ω和(hé)1200V/32mΩ產品已在光伏和充電(diàn)樁領域小(xiǎo)規模出貨。

  2. 士蘭微(Silanw)

    • 工(gōng)廠規模:2024年(nián)開工8英寸(cùn)SiC產線,總投資(zī)120億元,規劃產能6萬片/月,2025年(nián)三季度(dù)通線。

    • 產品布局(jú):工規級MOSFET量產,車規(guī)級產品驗證中(zhōng)。

  3. 比亞迪半(bàn)導體

    • 工廠規模(mó):2024年下半年投產全球最大碳化矽工(gōng)廠,產能為第二名的十倍,覆蓋車規全產(chǎn)業鏈。

    • 市場目標:打破海外壟斷,主攻新能源汽(qì)車主驅逆變器。

  4. 中電科55所

    • 技術(shù)地位:國內最早實現碳化(huà)矽MOSFET量產,聚焦軍工和高端工業領域。






    • 泰科天潤(中(zhōng)國碳化矽功率器件核心廠商之一)的工(gōng)廠規模及技術布局梳理:

5.泰科天潤 湖南瀏陽基地

    • 6英寸產線:一期工程(chéng)於2023年建(jiàn)成,年產能6萬片(piàn);2024年擴建二期後總產能提升至10萬片/年。

    • 應用領域(yù):主要生產SiC二極管、MOSFET等(děng)器件,覆蓋光(guāng)伏逆變器、充電(diàn)樁、電動汽車等領域。

  • 北京(jīng)順義總部基地

    • 8英寸產線:2023年啟動建設,計劃2025年通線投產(chǎn),2028年達產後年產2萬片8英寸晶圓。

    • 功能定位:集研發中心(xīn)、總部辦公及高端器件生產(chǎn)於一體,重(chóng)點服務新能源(yuán)汽車、國家電網等市場。

  • 二、產能擴張與投資情(qíng)況

  • 投資規模:湖(hú)南(nán)基地總投(tóu)資約5億元(一期),北京基地一期投資4億元,累計投資超9億元。

  • 設備與技術:湖南基地新增生產設備實現6英寸晶圓(yuán)全流程生產,北京基地引入8英寸先進工藝設備。

  • 三、技術(shù)布局與產品線

  • 核心產品

    • 650V-3300V碳化矽二極管(SBD),覆蓋1A-100A電流範(fàn)圍;

    • 1200V SiC MOSFET,已實現批量銷售。

  • 技術優勢:通過國際(jì)認證(如AEC-Q101、DNV·GL等),產品性能對標國際大廠。

  • 四、產業鏈整合與市場應用(yòng)

  • IDM模式:覆(fù)蓋襯底、晶圓製造、器件封裝全產業鏈,自主(zhǔ)可控能力突(tū)出。

  • 應用領域

    • 新能源:光伏逆變器、儲能係統;

    • 電動汽車:OBC、車載DC-DC;

    • 工業:通信電源、服(fú)務(wù)器電源。

  • 五、行業地位與發展規劃

  • 國內領先:中國首家(jiā)實現碳化矽器件量產的IDM企業,累計流片超3萬片,通過一線大廠審廠(chǎng)。

  • 目標規劃:2025年8英寸(cùn)產線投產後,進一步打破國際壟斷,提升車規級產品占比


三、市場競爭格局

  • 頭部集中度高:全(quán)球前五大廠商(英飛淩、ST、Wolfspeed、羅姆、安森美)占據約70%市場份額。

  • 技術迭代加速:國際大廠主導8英寸產線升級(如英(yīng)飛淩、Wolfspeed),中國廠商主攻6英寸產能擴張(三安、士蘭微)。

  • 應用場景:電動汽車占碳化矽市場77%,預計2029年占比增至82%。


數據來源與擴展

  • 全球市場規模:2023年約27億美元,預計(jì)2029年達104億美元

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