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上海功成半導體代理的超結MOS介紹(shào)-日韩va中文字幕无码免费電子

上海功成半導體的超結MOS介紹

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超結(jié)MOS概述

超結MOSFET(superjunction MOSFET)是一種重要的功率半導體器件,為克服傳統平麵MOSFET的局限性而出現。傳統平麵(miàn)MOSFET在高電壓應用中,高電壓需要更厚的漂移區來承受(shòu),但會導致更高的導通(tōng)電阻,增加功率損耗。而超結MOSFET利用(yòng)創新結構設(shè)計,顯著降低了導通電阻,同時維持(chí)了高擊穿電壓。

上海功(gōng)成半導體超結MOS特(tè)點

上海(hǎi)功成半導體(Coolsemi)的高壓超(chāo)結MOSFET通過先進的超結技術(shù)和優化結構設計,實現極低的特征導通電阻(Rdson*A),有效提(tí)高電源的功率密度和(hé)效率。

超結MOS結構設計

垂直結構設計

與傳統的平麵MOSFET不同,超結MOSFET采(cǎi)用垂直結構,電流在器件中垂直流動。這種設計能有效利用芯片的厚度來優(yōu)化(huà)電流(liú)的流動(dòng)路徑,從而降低導通電阻。

交替P型和N型區域

這些交替的(de)區(qū)域在器(qì)件導通時形成(chéng)了一個高(gāo)效的(de)電流通道,而在關斷時則(zé)能夠分擔電場,使得器件能夠承受更高的電壓。

超(chāo)結MOS優(yōu)勢

更低的導通電阻(R)

超結MOSFET的結構設計顯著降低了導通電阻。這意味著在相同電(diàn)壓等級下,超結MOSFET能夠(gòu)提供更高的效(xiào)率,減少功率(lǜ)損耗。上海功成半導體的超結MOSFET也具備此優勢,可有效提高電源效率。

更高的擊穿電壓(BV)

得益於其獨特的結(jié)構(gòu),超結(jié)MOSFET在不增加芯片尺寸的情況下,能夠實現更高的擊穿電壓(yā),在高壓應用中表現出色。

更好的熱性能

低導通電阻意味著更少的熱量產生(shēng),對於需(xū)要長時間高效運行的應用是一個重要(yào)的優勢。

超結MOS應用領域

超(chāo)結(jié)MOSFET在多個領域廣泛應用,上海功成半導體(tǐ)的超結MOS產品已應(yīng)用於多(duō)個細分市場,具體如下:

應用領域應用場景
開關電源超結MOSFET的低(dī)導通電阻和高擊穿電壓使(shǐ)其非常適合用於開關電源中,能夠提高轉換效率,減少能量損失2。
電動汽車(EV)被廣泛應用於電機驅(qū)動和(hé)電池管理係統中(zhōng),其高效能和優異的熱性能能夠提升整車的性能和可(kě)靠性2。
光伏逆變器光伏(fú)逆(nì)變器需要處理高電壓和大電(diàn)流(liú),超結MOSFET的性能優勢使(shǐ)其成為這些係統中的(de)理想選擇,能夠提高(gāo)能量轉換效率,減少熱(rè)量損耗2。
工業自動化在工業自動化領域,超(chāo)結MOSFET被用於各種電機驅動和電(diàn)源管理應用中2。
其他上海功成半導(dǎo)體聚焦新能源(yuán)、數據中(zhōng)心、汽車電子、智能家電以及高端消費電子領域,其超(chāo)結MOS產品還應用於直流充電樁、通信電源、服務(wù)器電源、便攜式(shì)儲能、戶用儲能、車載PTC等細分市場1。

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