6月24日，上交所正式受理龍騰半導體股份有限公司（簡稱“龍騰股份”）的科（kē）創板IPO申請。龍騰股份為半導體（tǐ）行業中的設計型企（qǐ）業，主營業務為以功（gōng）率MOSFET為主的功率器件產品的研發、設計（jì）及銷售，並為客戶提供係統解決..
2021-08-11MOS管無論是在IC設計裏，還是板級電路應用上，都十分廣泛。尤其在大功率半導體領域（yù），由於其（qí）具有輸入阻抗高、驅（qū）動功率低、開關速度快、無（wú）二次擊穿、安全工作區寬、熱穩定性好（hǎo）等優點，各種結構的MOSFET發揮著不可（kě）替代..
2021-07-29QC快充曆（lì）程高通的QC快充協議從（cóng）麵世到現在已經從1.0發展到4.0+了。QC4.0：提（tí）升功率至28W，加入USBPD支持。取消了12V電（diàn）壓（yā）檔，5V最大可輸出5.6A，9V最大可輸出3A，電壓檔細分（fèn）以20mV為一..
2021-07-27台灣虹揚持續推出ESD、ESDArray新品!封裝包含SOD-323/SOD-523/DFN1006/DFN0603/DFN2510/DFN1610-6L，詳細（xì）規格資訊請見附檔
2021-07-26MOSFET特性的溫度依賴性MOS的閾值電壓VT隨溫度降低。另（lìng）一方麵，遷移率μn隨溫（wēn）度降低，決定Ron的所有（yǒu）主要因素中，Ron隨著溫度升高。例如μn(125℃)大約是μn(25℃)的0.5倍，因此Ron會（huì）翻倍。..
2021-07-17MOSFET的開關損耗一個功率MOSFET可以實現的最大開關頻率依賴於開關損耗。每個脈衝周期的能量損耗就像其他器件一樣是可以估算的，可通過在開通和關（guān）斷過程中對V(t)和i(t)的乘積（jī）進行積分計算。在開通期間，可..
2021-07-16MOSFET的基（jī）本工作原理對MOSFET(金屬氧化（huà）物半導體（tǐ）場效（xiào）應（yīng）晶體管）的（de）基本結（jié）構（gòu），要理解MOSFET的功能（néng），或許要首先研究一下半（bàn）導體表麵。由於缺（quē）乏相鄰（lín）的原子，某種半導體的表麵（miàn）總是其理想晶格的一種被擾亂的形態。..
2021-07-16肖特基二極管（guǎn）的命名： 肖特基二極管是以其發明人肖（xiāo）特基博士（Schottky）命名的， 完整的叫法是：肖特基整流二極管（SchottkyRecTIfierDiode縮寫成SR）， 也有人叫做：肖特基勢壘二極..
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