MOS的閾值電（diàn）壓VT隨溫度降低。另一方麵（miàn），遷（qiān）移率μn隨溫度降低，決定Ron的所（suǒ）有主要因素中，Ron隨著溫（wēn）度（dù）升高。例如（rú）μn(125℃)大約是μn(25℃)的0.5倍，因此Ron會翻倍。
轉移（yí）特性，在低Vg時，由於Vt的主要影響因素降低，所以（yǐ）飽和電流IDsat隨T增（zēng）加（jiā）。在高（gāo）Vg時，由於主要的遷移率降低，所以IDsat降低。交點表示為溫（wēn）度補償（cháng）點TCP。
當Vc=常數（shù）時，溫度係數βT可表示為：
通（tōng）常，功率（lǜ）MOSFET設計（jì）並不是用於工作在夾斷區（qū）域，也稱為線性區域，如果這麽設（shè）計（jì），則TCP下方的工作性能可能導致熱不穩定（dìng）。在較小的柵極電壓下，由於（yú）閾值電（diàn）壓的溫度依賴性，漏極電流（liú）隨溫度而增加。
如果器件在該區域內工作（zuò），則將產生熱點（diǎn）並（bìng）發生熱失控（kòng），在較大的柵（shān）極電壓下，因為載流子遷（qiān）移率在高溫下降低，所以漏極電流隨著溫度的升高而降低。溝道寬度越大，不穩定（dìng）區（qū）域越明顯。
當將脈衝功率保持在相（xiàng）同（tóng）的值（Spi02）時，功率MOSFET 器件在不同電壓偏置（zhì）下的溫度瞬態變化。器（qì）件是穩定的還是會受到（dào）破（pò）壞，完全取決於偏置條件，即漏極電壓、漏極電（diàn）流和脈衝持續時間，而不僅僅（jǐn）取決於平
均功率。例如，實現6A且VD=15V的90W脈衝電（diàn）源應用器件是穩定的，但（dàn）在Vp=30V且（qiě）Ip=3A時，工作點低於TCP,器件會受到破壞性的熱失控。使用電流溫度係數βr=ΔIp/ΔT,可（kě）以區分操作點。根據偏（piān）差，使器件保持穩（wěn）
定的熱點增長。在（zài）現代溝槽MOSFET中，單（dān）元密度較高並且溝道寬度W較大，線性電路（lù）模式的安全工作（zuò）區域會減小［Cha16,即使在開啟或關閉期間相對較（jiào）短的電流飽和持續時間也可能導致器件失效。
