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國內MOS供(gòng)應商龍(lóng)騰(téng)半導體科創板IPO獲受理

6月(yuè)24日,上交所正式受理龍騰半導體股份有限公司(簡稱“龍騰股份”)的(de)科(kē)創板IPO申請(qǐng)。

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龍騰股份為半導體行業中的設計型企業,主營業(yè)務為以(yǐ)功率MOSFET為主的功率器件產品的研發、設計及銷(xiāo)售,並為客戶提供係統(tǒng)解決方案。

目前,龍騰股份產品覆蓋了功(gōng)率MOSFET分(fèn)立器(qì)件主要類別,形成了超結MOSFET、平麵型(xíng)MOSFET、屏蔽柵溝槽(cáo)MOSFET和溝槽型MOSFET四(sì)大產品平台,在LED照明驅動、電源適配(pèi)器、TV板卡、電池管理係統、通信電源等民用領域以及軍用特種電源等軍用領(lǐng)域得到了廣泛(fàn)應用。結合公司在功率MOSFET領域的(de)技術積(jī)累以及對電(diàn)源、控製係(xì)統等終端產(chǎn)品(pǐn)的理(lǐ)解,公司積極開拓係統解決方(fāng)案業務。

報告(gào)期內,公司(sī)係(xì)統解(jiě)決方案業務在軍(jun1)品領域實現突(tū)破,公司研製量產的電(diàn)源控製(zhì)艙實現規模(mó)化收入。未來公司係統解決方案業務將以電源控製艙、電源模塊產品為重點領域,與(yǔ)功率器件業務(wù)實現協同發展。

龍(lóng)騰股份表示,未來,公司還將通過自建8英(yīng)寸功率半導體外延片產(chǎn)線的方式,自主掌控(kòng)超結MOSFET、IGBT等公司核心產品晶圓製造過程中的特色工藝環節,增強產能保障,提高產品一致性與可靠性,提高研(yán)發效率,逐步實現由Fabless模(mó)式向Fab-Lite模式的(de)轉變。

2020年成功扭虧為盈

2018年至2020年,龍騰股份的營業(yè)收入分別(bié)為8,908.63萬元(yuán)、10,074.68萬元和17,262.44萬元;同期歸屬於母公(gōng)司(sī)股東的淨利潤分別為-3,215.53萬元、-1,320.45萬元、2,452.74萬元。

龍騰(téng)股份(fèn)稱(chēng),報(bào)告期各期,公司營(yíng)業收入呈快速增(zēng)長趨勢,主要為在以產品研發驅動業務發展的核心發展戰略下,報告期內公(gōng)司(sī)新開發功率器件(jiàn)產(chǎn)品貢獻的營業收入分別為2,496.49萬元、4,421.78萬元和7,201.00萬元,複合增長率(lǜ)達到69.84%。

功(gōng)率半導體行(háng)業具有較為明顯的規模效應特(tè)征,公司功率器件現階段業務規模相對較小(xiǎo)、規模效應不明顯的特征導致報告期公司毛利率水平(píng)較(jiào)低,且期(qī)間費用率較高,是2018年度和2019年度公司淨利潤為負的主要因素。2020年度,公司扣非後歸母淨利潤為1,034.50萬(wàn)元,實現扭虧為盈(yíng),主要為一方麵,隨著公司持續通過(guò)產品研(yán)發驅動業(yè)務發展,公司民品(pǐn)功率器件業務營業收入大幅增長35.49%,規(guī)模效應有所體現,利潤(rùn)規模相應增長;另一(yī)方麵,基於(yú)公司在功率器件(jiàn)和電路設計方案方麵的研發技術積累(lèi),公司軍品特種(zhǒng)功率器件和以軍用電源控製艙為代表的係統解(jiě)決方案業務於2020年實現規模化收入,成為收入和利潤的重(chóng)要來源。

募資11.8億元,投建8英寸(cùn)功率(lǜ)半導體製造項目(mù)

經公司(sī)第一屆董事會第十三(sān)次會議及(jí)2021年度第二次(cì)臨(lín)時股東大會審議通過,公司本次公開發行股票所募集資金扣除發行費用後,將全部(bù)用於與(yǔ)公司主營業務相關的投資項目。

龍騰股份指出,基於超結MOSFET良好的(de)市場前景,以及公(gōng)司豐富(fù)的技術儲備,公司擬投資建設“8英寸功率半導(dǎo)體製造項目”,由西安龍威承建。項目年產8英寸矽外延片360萬片(piàn),其中項目一期投資11.8億元,形成年產180萬片次8英寸矽外延片;項目二期(qī)投資5.97億元,形成年產180萬片次8英寸矽外延片(piàn)。

肖特基二極管供應商

本次募投項目為“8英寸功率半導體製造項目(一期)”,將新建生產8英寸普通矽外延片(piàn)和8英寸超結MOSFET外延片的產能,建成後公司將:(1)采購矽襯底片等(děng)原材料,自主完成外延層生長製(zhì)備,實現年產60萬片8英寸普通矽外延片,直接向下遊晶圓代工廠銷售(shòu),可用於製造公司的平麵型MOSFET、屏蔽柵溝槽MOSFET和溝槽型MOSFET晶圓;(2)采購矽襯底片等原材料(liào),自主完成10次外延層生長製備,實現年產12萬片8英寸超結MOSFET外延片,然後通(tōng)過外協完成後(hòu)道工序(MOS結構製造、封裝、測試)製成超結MOSFET封裝(zhuāng)成品,向下遊應用(yòng)領域的客戶進銷售。

關於(yú)未來的發展戰略,龍騰股份(fèn)指出,作為國內長期從事以功率MOSFET為主的功率器件產品的企業,公司願景是(shì)成為“領先的功(gōng)率半導(dǎo)體器件及係統解決方案提供商”,圍繞這一願景,堅持自主創新發展道路,專注於先進半導體(tǐ)功率器件的研發設計、生產及(jí)銷(xiāo)售,打造行業高端品牌。

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