由愛集（jí）微主辦，張江（jiāng）高科協辦的《後摩爾時代下第三代半導體的技術趨勢》論（lùn）壇於（yú）上海舉辦，邀請到來自第三代半（bàn）導體產業鏈各環節廠商，電動車、快充、新型顯示廠商，以及產業研究學者（zhě），行業（yè）分析師等，共同探（tàn）討行業發展趨勢。

在論壇上，泰科天潤半導體科技（北京）有限公司（下稱“泰科天潤”）營（yíng）銷副總秋琪發表了主題為《碳化矽芯片製造為啥這麽難?》的精彩演講。

據悉，泰科天潤是國內首家第三代半（bàn）導體材料碳化矽功率芯片生產製造與應用解決方案提供商，亦是國內最早實現碳化矽器件規（guī）模化銷售的企業，該公司目前擁有兩（liǎng）條（tiáo）可以批量化麵對（duì）市場的（de）碳（tàn）化矽芯（xīn）片完整生產線（xiàn）。

作為國內銷售規模最大、器件種類最全的碳化矽功率芯片生產（chǎn）企業（yè），秋琪在演講中針對碳化矽芯片製造工藝特點、碳化矽減（jiǎn）薄工（gōng）藝實操中碰到的問題以及國產SiC的發展機遇等幾個方麵的內容進（jìn）行了分（fèn）享。

秋琪（qí）談到（dào），雖然第三代半導（dǎo）體（tǐ）線寬要（yào）求不高，以180納米到0.5微米為主，卻因材料的特殊性導致對（duì）工藝也有特殊要求；需要將設計和特殊工藝達到最優化，製造難度其實較（jiào）大，因此第三代半導體廠家會（huì）朝IDM的方向發（fā）展。此外，短期內需投入的資本規（guī）模也較（jiào）大（dà）。

與矽器件（jiàn）相比，碳化矽材（cái）料由碳和矽（guī）雙元素組成，不僅更硬、更脆、呈透明狀，同時晶格也更難擴（kuò）散。

秋琪（qí）指出（chū），碳化矽芯片製造在（zài）工藝上首先需要通過高能注入並采用高溫化退火工藝來解決晶格擴散的難題；其次是要通（tōng）過高溫氧化工藝提高氧化速率，抑（yì）製（zhì）碳生物量；而碳化矽透明、硬、脆的特質，也大大增加了設備傳送、取片、幹刻（kè）、挖槽、甩幹、減薄等環節的（de）工藝（yì）難度。從而導致碳化矽芯片長期處於生產（chǎn）效率低、碎片率高（gāo）、難以量產的局麵。為了確保設計方（fāng）案的穩定（dìng）性和一（yī）致性，勢必對廠商的工（gōng）藝有更加嚴（yán）苛的要求。

演講中，秋琪也對當前（qián）一些典型應用方案裏碳化矽減薄工藝的實操難點（diǎn）進行剖析。

秋琪（qí）介紹到（dào），如果（guǒ）要將碳化矽晶圓厚度從350微米減（jiǎn）薄至200甚（shèn）至100微米，僅僅在單步工藝質量要求上，廠商就需要同（tóng）時（shí）兼顧晶圓整體無破損、表麵TTV、表麵損傷（shāng）層厚度、表麵粗糙度以及晶圓片間厚度均勻性這五個方麵。

介於碳化矽的幾大特性，在生產過程中極易出（chū）現碎（suì）片、裂片，甚至由於粗糙度、翹曲（qǔ）度變化，引起薄膜、退火表麵態狀況變化。

秋琪（qí）認為：“在（zài）晶圓正麵保（bǎo）護、清洗甩幹（gàn）、背金（jīn）成膜、背金（jīn）退火這些工藝整合環節（jiē），實際產業化的過程中需特別注意貼膜撕膜、鍵（jiàn）合結鍵、高溫浸（jìn）泡和傳送、幹（gàn）燥（zào）及甩幹條件（jiàn）、蒸（zhēng）發、濺射以及燈（dēng）退火、激（jī）光（guāng）退火的問題。”

除了製造工藝（yì）方（fāng）麵的經驗分享，秋琪也談起了國產SiC眼（yǎn）下的發展機遇。

秋（qiū）琪表示，雖（suī）然短期（qī）內仍以Si為主，SiC難以實現“取代”，但隨著成本降低，SiC快速切入各應（yīng）用領域，市場呈現（xiàn）出爆發式增長的態勢（shì），SiC也將逐（zhú）漸（jiàn）侵占（zhàn）Si市場份額。

現階段，碳化矽主要（yào）用於電動汽車、充（chōng）電樁、光（guāng）伏（fú）/儲（chǔ）能（néng）、電源、電機驅動、UPS以及軌道交通等領域。

目前國內SiC二極（jí）管已在（zài）OBC、充電（diàn）樁、光伏、電源、PD快充等領域批量出貨，其中不乏一些行業標杆客戶，而SiC MOSFET由於驗證周期長、產品（pǐn）可靠性、客戶信心不足的問題使得導入速度較（jiào）慢，還處在客戶端可靠性檢驗與特性驗證階段。

秋（qiū）琪認為，中美貿易問題使得國產化更加迫切（qiē）也更符合國家和民族需求，而持續擴（kuò）大的缺貨浪潮也給國產器件實現替代創造了機會。加之國家政策引導和能源產（chǎn）業革新的推動，國產SiC將迎（yíng）來廣闊（kuò）的發展。