維安TOLL封裝的（de）功率MOSFET是用於大電流應用場景，最優化的封裝。其產品係列最大電流可達300A以上，主要應用（yòng）於（yú）類似動力BMS、逆變儲能、低速電動車、電（diàn）動工具、無人機電調、潛航器電機等大電流應用場景。

TOLL 封裝的占位（wèi）麵積僅為 9.90 mm x 11.68 mm，與 TO-263-7L封裝相比（bǐ），PCB 麵積（jī）可（kě）節省 30%。它的外形僅為 2.30 毫米，占用的（de）體積（jī）比TO-263-7L封裝小 60%。

除了尺寸更小（xiǎo）外，TOLL 封裝還（hái）提供比 TO-263-7引線更好的熱性（xìng）能和（hé）更低的封裝（zhuāng）電感 (2 nH)。其開爾文源配置確保更低的柵極噪（zào）聲和開關損耗，與沒有開爾文配置的器件相比，包括開啟（qǐ）損耗 (EON) 降低（dī） 60%，確保（bǎo）在具有挑戰性的電源設計中顯著提高（gāo）能效和功率密度，改善電磁幹擾(EMI) 並更容易進（jìn）行PCB 設（shè）計。

TOLL封裝產（chǎn）品特點：

● 小管腳, 低剖（pōu）麵（miàn）

● 超大通流能（néng）力

● 超小的（de）寄生電感

● 大的焊接麵積

TOLL封裝產品優勢：

● 高效率和低係統（tǒng）成本（běn）

● 更少的並聯數量和冷卻需求

● 高功率密度

● 優秀的EMI性（xìng）能

● 高可靠性

TOLL 與TO-263-7L外觀對比

30% footprint reduction !

50% height reduction !

60% space reduction !

TOLL封裝與TO-263-7L封裝的寄生參數（shù）對比

維安TOLL封裝量產（chǎn）產（chǎn）品係列

維安TOLL封裝產品規劃

維安TOLL封（fēng）裝產品的優勢介紹

較高的功率密度

新能（néng）源產品（新能源汽車、儲能及配套應用（yòng））與大功率電源及電機（jī）的快速發展，對產品能效要求進一步提高，MOS管需要承受瞬間高能量通過，並需要在有限（xiàn）的材料物理散熱極限內，達到最高散熱率與最低的（de）熱阻（zǔ），在這一極限條件下，TOLL封裝超低導通阻抗和寄生電感、以及更出色的EMI表現和熱性能正好滿（mǎn）足這（zhè）一發（fā）展趨勢要求，其次TOLL封裝實際電路設計應（yīng）用中所需（xū）的並聯和散（sàn）熱部件較少，可以節省PCB空間，從而（ér）提高（gāo）整（zhěng）體可靠性。

較低的溫升

BMS應用中，在承受持續大電流充放電的過程中，MOSFET的溫（wēn）度表現對於係統的整體效率和溫（wēn）度至關重要，TOLL封裝產品WMLL020N10HGS（BVdss 100V, Rdson 2mR max），在26℃環（huán）境溫度下，通過持續40A過流能力（lì）考驗：

通過PCB散熱，溫升僅為61℃；

通過鋁基板散熱，溫升僅為32℃。

PCB散熱

鋁基板散（sàn）熱

較高的短路（lù）耐量

BMS和電機控製的應用中，MOSFET在短路瞬間，會承受短時間幾十（shí）uS~幾百mS的大電流衝擊，瞬態功率高達上百KW，實驗室模擬TOLL封裝產品WMLL020N10HGS（BVdss 100V, Rdson 2mR max）在（zài）電機高速旋（xuán）轉中遇到搭接短路時的功率表現。

下圖：示波器波（bō）形1CH: Vgs 2CH: Vds 4CH: Ids M1:MOS功耗（hào）

單體短路，VDD=88V 短路最大電流1550A，最大（dà）耗散功率101.5KW。

強壯持續線性工作模式

在線性模式下，MOSFET在飽和狀態或飽和區域中工作，它（tā）表現為柵極電壓控製的電流源（yuán），與完全導通（tōng）（或完全增強）的情況相反，MOSFET在線性模式下的漏極-源極阻抗相對較高，因（yīn）而功耗也（yě）比較高。在線性模式（shì）下，功率等於漏（lòu）極電流與漏極-源極電壓的乘積(ID × VDS)，兩者數值都比較高，實驗室模擬TOLL封裝產品WMLL020N10HGS（BVdss 100V, Rdson 2mR max）在接近直流操（cāo）作的長脈衝（chōng）時間測試MOSFET線性模式魯棒性，產品在線性模式工作條件下的（de）功率能力，均在理論安全工作區 (SOA) 範圍內，防止器件出現任何熱失控。

下圖：VDS=28V Ids=2.5A 線性模式70W耗散（sàn）功率持續工作。

超強的（de）電機重載驅動能力

3000W大功率72V電機（jī）係統，對於MOSFET器件帶（dài）載能（néng）力要（yào）求苛刻，實（shí）驗室模擬TOLL封裝（zhuāng）產品WMLL020N10HGS（BVdss 100V, Rdson 2mR max），6管橋臂MOSFET驅動，上下兩兩交叉導通，導通時一管保持開啟，一管為PWM調製信號，根據PWM占空比的大小（xiǎo）來調整輸出電流的大小。

下圖：拉載感性負載，示波器波形1CH:上橋臂Vgs 2CH:上橋臂Vds

六顆MOS拉載（zǎi）72V 42A ，3000W直流無刷電機負（fù）載。

下圖：示波器波（bō）形1CH: Vgs 2CH: Vds 4CH：Ids M1:MOS功耗；

上橋臂MOS能夠承受（shòu）103V，1300A瞬（shùn）時功（gōng）率衝擊。