碳化矽二（èr）極管（guǎn）於1985年問世。吉田是在3C-碳化矽（guī）上做的。其肖特基勢壘高度通過電容測量為1.15 (0.15) eV，通過光學響（xiǎng）應測量為1.11 (0.03) eV。它（tā）的擊穿（chuān）電壓隻有8伏。第一個6H-碳化矽肖特基二（èr）極管的擊（jī）穿電壓（yā）約為200伏。Bhatnagar報道了第一個高電壓400伏6H-SiC肖特（tè）基勢壘二極管，具有低導通狀態電壓降(1 V)和（hé）無反向恢複電流（liú）。隨著碳化矽單晶、外延質（zhì）量和技術水平的不斷提高，越來越多性能優越的碳化（huà）矽二極管被報道。
1993年，報道了第一個擊（jī）穿電壓超過1000伏的碳化（huà）矽二極管。器件的肖特基接（jiē）觸金屬是鈀。它采用氮型外延，摻雜濃度為110厘米，厚度為（wéi）10微米。1995年前後出現（xiàn）了高質量的4H-碳（tàn）化矽單晶。它比6H-碳（tàn）化矽具有更高（gāo）的電子遷移率和（hé）更大的臨界擊穿電場（chǎng），這（zhè）使得人們更傾向於研究4H-碳化矽（guī）肖特基二極管（guǎn）。
1995年首次報道了鎳/4H-碳化矽二極管。外延摻雜濃度為11016厘米，厚度（dù）為10微米，擊穿電壓為1000伏，100安/厘米時正向壓降為1.06伏，室（shì）溫下比（bǐ）導通（tōng）電阻為210厘米。2005年（nián），中村友紀等人使用鉬作為（wéi）肖特（tè）基接觸，擊穿電（diàn）壓為4.15千伏，比接觸電阻為9.07米厘米（mǐ）。肖（xiāo）特基二極管的勢壘高（gāo）度也隨著退火溫度的增加而增加。在退火溫度為600時，勢壘高度為1.21 eV，而理想因子是穩定的，隨著退火溫度的升高變化不大。趙建輝利用氮型碳化矽外（wài）延和多（duō）級結終端擴展技（jì）術製（zhì）作了擊（jī）穿電（diàn）壓高達10.8千伏的鎳/4H-碳化矽（guī）肖特基二極管。外延摻雜濃度為5.610cm，厚度為115m。肖特基二極管采用多級結終端擴（kuò）展技術，保護肖特基結邊緣不被過早擊穿。
碳化矽二極管在導通過程中沒有額外的載流子注入和存儲，因此反向恢複電流（liú）小，關斷（duàn）過程快，開關（guān）損耗小。傳統的矽肖（xiāo）特基二極管（guǎn）隻能用於120-200伏的低壓場合，不適合在150以上工作，因為所有金屬與矽（guī）的功函數差不是很大，矽的肖特基勢壘低，矽SBD的（de）反向漏電流大（dà），阻擋電壓低。然而，碳化矽SBD彌（mí）補了（le）矽SBD的短缺。許多金屬，如鎳、金、鈀、鈦、鈷等。可（kě）以與肖特基勢壘高度超過1 eV的（de）碳化（huà）矽形成肖特基接觸。據報道，金/4H-碳化矽接觸（chù）的勢壘高度可以達到1.73 eV，而鈦/4H-碳化矽接觸的勢（shì）壘高度相對（duì）較低，但最高也可以達到1.1 eV。6H-SiC和各種金屬觸點之間的肖特基勢（shì）壘高度變化很大，最小（xiǎo）值為0.5 eV，最（zuì）大值為1.7 eV。因此（cǐ），SBD已成為碳化矽電力電子器件發展的第一個重點。它是一種集高電壓、高速度、低功耗和耐高溫（wēn）於一體的理想器件。目前，世界上已相繼開發出多種成功程度很高的碳化矽器件。
上述（shù）所講解的（de）就（jiù）是
碳（tàn）化矽二（èr）極管的曆（lì）史發展，希望看完能夠對您有所（suǒ）幫（bāng）助，如（rú）果您想要了解更多關於碳化（huà）矽二極管的相（xiàng）關（guān）信息的話，歡迎在線谘詢客服或是撥打本公司服務熱線（網站右上角）進行谘詢，我們將竭誠（chéng）為您提供優質（zhì）的服務！
