肖特基二極（jí）管是以其發明者肖特基博士的名字命（mìng）名的，SBD是肖特基二（èr）極管(SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導體和N型（xíng）半導體接觸形成PN結的原理，而是利用金屬-半（bàn）導體接觸形成金屬-半導體（tǐ）結（jié）的原理。因此，SBD也被稱為金屬半導體(接觸)二極管（guǎn）或表麵（miàn）勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。
肖特基二極管是由（yóu）貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)製成的金屬半導體器件。)A作（zuò）為正電極，N型半（bàn）導體B作為負電極（jí），並利用（yòng）在兩（liǎng）者的接觸（chù）表麵上形成的勢（shì）壘的整流特性。因為在N型半導（dǎo）體（tǐ）中有（yǒu）大量的電（diàn）子，而在貴金屬中隻有非常少量的自由電子，所以電子（zǐ）從高濃度的B擴散到低濃度的A。顯然，在金屬（shǔ）A中沒有空穴，因此沒有空穴從A到B的擴散（sàn）運動。隨著電子繼續從B擴散（sàn）到A，B表麵上的電子濃度逐漸（jiàn）降低，表麵的電中性被破壞，從而形成電場方向為B A的（de）勢壘。然（rán）而，在該電場的作用下，A中的電子也將產生從A到B的漂移運動，從而削弱由擴散運（yùn）動形（xíng）成的電場。當建立一定寬度的空間電荷區時，電場引起的電子（zǐ）漂移運（yùn）動和不同濃度引起的電子擴（kuò）散運動達到相對平衡，從而形成肖特基勢（shì）壘。
典型的肖特基整流器的（de）內部電路（lù）結構基於N型半導體，在其上形成摻雜有砷的（de）N外延層。陽極由鉬或鋁和其他材料製成，以（yǐ）形成阻擋層。二氧化矽(二氧化矽)用於（yú）消除邊緣（yuán）區域的電場並提（tí）高管的（de）耐壓性。該N型襯底具有（yǒu）非常小的（de）導通電阻，並且其摻雜濃度比H層的摻雜濃度高100%。在襯（chèn）底下麵形（xíng）成一個氮陰極層，以降低陰極的接觸電阻（zǔ）。如圖所示，通過調整結構參數，在N型襯底和陽極金（jīn）屬之間形成肖特基勢壘。當正向偏（piān）置電壓施（shī）加到肖特基勢壘的兩端時(陽極金屬連接到電源的陽（yáng）極，並且N型襯底連接到電源的陰極)，肖特基勢壘層變得更窄，並且其內部電阻變得更（gèng）小。另一方麵，如果反向偏壓被施加到肖特基勢壘的兩端（duān），肖特基勢（shì）壘層變（biàn）寬，並且其內部電阻變大。
肖特基整流管的（de）結（jié）構原理與PN結整流（liú）管有很（hěn）大（dà）不同。PN結整流管通常被（bèi）稱為結整流管（guǎn），而（ér）金屬半導管整流管被稱為肖特基整流管。用矽平麵（miàn）工藝製造的（de）鋁矽肖特基（jī）二（èr）極管也已問世，它不僅可以節約貴金屬，大大降低（dī）成本，還可以提（tí）高參數的一致性。
上述所講（jiǎng）解的就是
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