目前MOS工（gōng）藝主要分為三類：Trench MOSFET / High-Performance-Advanced Trench MOSFET / Super Junction MOSFET

1 Trench MOSFET： 溝槽工藝，具有導通電（diàn）阻小（xiǎo），寄生電（diàn）容小，開關速度快等（děng）優點（diǎn）。

2 High-Performance-Advanced Trench MOSFET： SGT工藝，是屏蔽（bì）溝槽工藝，屏蔽深溝（gōu）槽工藝，這個是基於傳統溝槽式 MOSFET（U-MOSFET）的一種改進型的溝（gōu）槽式功率 MOSFET。相比於傳統 U-MOSFET 功率器件，它的開關速度更快，開關損（sǔn）耗更低，具有更好的器件性能。

3 Super-Junction MOSFET：超結（jié）MOSFET，具有更低的（de）通態（tài）阻抗，更低的傳導損耗，更（gèng）低的開啟電壓，更快的開關速度，更（gèng）低的柵極電（diàn）荷Qg等。它的缺點，在開關電源係統應用會出現EMI可能超標；柵極震蕩；抗浪湧及耐壓能力差；漏源極電壓尖峰比較（jiào）大等等。