LED作為新型照明光源（yuán），具有高效（xiào）節能、工作壽命長等優點，目前已廣（guǎng）泛使用於LED顯示、車用電子（zǐ）、生活照明等（děng）各種（zhǒng）照明場景。LED恒流驅動特征需要特定的AC-DC恒流驅動電源，為了提高電源能效，LED的驅動電源一般采用單級PFC的拓（tuò）撲。
如圖（tú）一所示，單級PFC的拓撲結構在輸入端整流橋（qiáo）與高壓MOSFET之間（jiān）沒有高容量的電解電容，在遭遇雷擊浪湧時，浪湧能量很容易傳輸到MOSFET上（shàng），高壓MOSFET VDS易過電壓，此時MOSFET很容易發生雪崩現象。在開關電源中，研發工程（chéng）師要求（qiú）MOSFET盡可能少發生或不發生雪崩。
雪崩是指MOSFET上的（de）電壓超過漏源極（jí）額定耐壓並發生擊穿的現象。圖二為600V MOSFET的安全工作區示意圖，圖中紅色（sè）標線為安全工作區的右邊界。雪崩發生時，漏源兩端的電壓超過額定BVDSS，並（bìng）伴隨（suí）有電流流過漏源極，此時MOSFET工作在此邊（biān）界的右邊（biān），超（chāo）出（chū）安全工作區（SOA）。
圖二 某600V MOSFET安全工作區（SOA）
如圖三所示雪崩測量電路及波形，一旦超出安全工作區， MOSFET功耗將大增。左圖為雪崩測試的標（biāo）準電路，右圖為雪崩期間的運行波形。MOSFET在關斷時因VDS電壓過（guò）高而進入（rù）雪崩狀態，雪崩期間漏源極電壓電（diàn）流同時存在，其產生的瞬（shùn）時功耗達到（dào）數KW，會（huì）大大影響整個電源的可靠性。且雪崩期間（jiān），必須保證其溝道溫度不超過額定溝道溫度，否則容易導致器件過溫失效（xiào）。
圖三 雪崩測（cè）量電路及（jí）波形
在LED驅動電源，工業控製輔助電（diàn）源等應用中，電源工程師在設計浪湧（yǒng）防護時，可選擇耐壓更高的MOSFET，耐壓高的器件可將浪湧能量擋在AC 輸入端，讓輸入端口的MOV防護器（qì）件來吸收，避免MOSFET超過安（ān）全工作區。這樣可以大大提（tí）高整機電源的（de）浪湧（yǒng）防（fáng）護能力。
LED作為21世紀的綠色照明（míng）產品，正在大量取代傳統的光源。依托龐大的LED市（shì）場，國（guó）產（chǎn）器件在SJ MOSFET領域替換進口品牌的潛力極（jí）大。維安結合市場和客（kè）戶的需求，在產品工藝、封（fēng）裝上（shàng）持續創新，針對LED照明領域通用的800V以上（shàng）耐壓的規格，在產品係（xì）列、規格尺寸上也更加齊（qí）全。那（nà）麽，應（yīng）該如何（hé）避免MOSFET應用時的雪崩破（pò）壞呢？從浪湧防護（hù）的角度來說，電源工程師可（kě）以增加AC輸入端浪湧防護元（yuán）件的規格，使AC前端（duān）器件防護元件（jiàn）吸收掉絕大部分浪湧能量，降低浪（làng）湧殘壓，如增加壓敏電阻的尺寸、選擇殘壓更低的壓敏以及增（zēng）加RCD浪湧吸收電路等。另外，亦可選擇更高電流ID或者更高耐壓規格（gé）的MOSFET避（bì）免其自生發生雪崩，但更（gèng）高的ID往往意味著更高的成本，故而，選擇更高（gāo）耐（nài）壓規格成為一（yī）種更簡易安全且極具性價比的（de）方案（àn）。
維安(WAYON)是電路保護元（yuán）器件及功率半導體（tǐ）提供商。WAYON始終（zhōng）堅持“以客戶為導向（xiàng），以技術為本，堅（jiān）持艱苦（kǔ）奮鬥”的核（hé）心價值觀。致力於通過技術創新引領市場，努力成為全球電路保護元器件及功率半（bàn）導體的領先品牌。
LED作為新型（xíng）照明光源，具有高效節能（néng）、工作壽命長等優點，目前已廣泛（fàn）使用於LED顯示、車用電子、生活照明等（děng）各種照明場景。LED恒流驅動（dòng）特征（zhēng）需要特定的AC-DC恒流驅動電源，為了提高電源能效，LED的驅動電源（yuán）一般采用單級PFC的拓撲（pū）。
如圖（tú）一所示（shì），單（dān）級PFC的拓撲結構在輸入端整流橋與高壓MOSFET之（zhī）間沒有高容量的電解電容，在遭遇雷擊浪湧時（shí），浪湧能量很容（róng）易傳輸到MOSFET上，高壓（yā）MOSFET VDS易過電壓，此（cǐ）時MOSFET很容（róng）易發生雪崩現象。在開關電（diàn）源中，研（yán）發工程師要求MOSFET盡可能（néng）少發（fā）生或不發（fā）生雪崩。
雪崩是指（zhǐ）MOSFET上的電壓超過漏源極額定耐壓並發生擊穿（chuān）的（de）現象。圖二為600V MOSFET的安全工作區示意（yì）圖，圖中紅色（sè）標線為安全工作區的右邊（biān）界。雪崩發生時，漏源兩端的電壓超（chāo）過額定BVDSS，並伴隨有電流流過漏源極，此時MOSFET工作在此邊界的右邊，超出安（ān）全工作區（SOA）。
圖二 某600V MOSFET安全工作區（SOA）
如圖（tú）三所示雪崩測（cè）量電路及波形，一旦超出（chū）安全工作區， MOSFET功耗將（jiāng）大增。左圖為雪崩測試的標準電路，右圖為雪崩期間的運行波形。MOSFET在關斷時因VDS電壓過高而進入雪崩狀態，雪崩期間漏（lòu）源極（jí）電壓電流同時存在，其產生的瞬（shùn）時功耗達到數KW，會大大影響整（zhěng）個電源的可靠性。且雪崩期間，必須保證其溝道（dào）溫度不超過額定溝道溫度，否則容易導致器件過溫失效。
圖三（sān） 雪崩測量電路及波形
在LED驅（qū）動電源，工業控製輔助電源等應用中，電源（yuán）工程師（shī）在設計浪湧防護時，可選擇耐壓更高的MOSFET，耐壓高的器件可將浪湧能量（liàng）擋在AC 輸入端，讓輸入端口的（de）MOV防護器件來吸收，避免（miǎn）MOSFET超過安全工作區。這樣可以大大提高（gāo）整機電源的浪湧（yǒng）防護能力（lì）。
LED作為21世紀的綠色照明產品，正在大量取代傳（chuán）統的光源。依托龐大的LED市場，國產器件在SJ MOSFET領（lǐng）域替換進口品牌的潛力極（jí）大。維安結合市場和客戶的需求（qiú），在產品工藝、封裝上持續創新，針對LED照明領域通用（yòng）的800V以上耐壓的（de）規格，在產品係列、規格尺寸上也更加齊全。那麽，應該如何避免MOSFET應用時的雪崩破壞呢（ne）？從浪湧防護的角度（dù）來說，電源工程師可以增（zēng）加AC輸入端浪湧（yǒng）防護元件的規格（gé），使AC前端器件防護元（yuán）件吸（xī）收掉絕大部分浪湧能（néng）量，降低浪湧殘（cán）壓（yā），如增加壓敏電阻的尺寸、選擇（zé）殘壓更低的（de）壓敏以及增加RCD浪湧吸收電（diàn）路等。另外，亦可選擇更高電流ID或者更高耐壓規格的MOSFET避免其自生發生雪崩，但更高的ID往往意味著更高的成本（běn），故而（ér），選擇更高耐壓規（guī）格成為一種更簡易安全且（qiě）極（jí）具性價比的方案。
維安(WAYON)是電路保護元器件及功（gōng）率半導體提供商。WAYON始終堅持“以客戶為（wéi）導向，以（yǐ）技術為本，堅持艱苦（kǔ）奮鬥”的（de）核（hé）心價（jià）值觀。致力（lì）於通過技（jì）術創新引（yǐn）領市場，努力成為（wéi）全球電路保（bǎo）護元器件及功率半導（dǎo）體的（de）領先品牌。
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