維安WML7N65D1B平麵（miàn）MOS產（chǎn）品介紹

1. 產品概述

WML7N65D1B是維安（WAYON）推出的650V耐（nài）壓平麵MOSFET，采用TO-220F封裝，專為高電壓、大電（diàn）流應用場景設計。該產品結合了平麵工藝的高可靠性與低導通電阻特性，適（shì）用於消費電子、工業控製、電源管理等領域。

2. 關（guān）鍵（jiàn）參數

• 耐壓（yā）等級：650V（BVDSS）

• 連續漏極電流（liú）：7A（ID）

• 導通電（diàn）阻（zǔ）：1.12Ω（RDS(on)@VGS=10V）

• 封裝形式：TO-220F（支持（chí）高功率密度設計）

• 工作溫度範圍：-55°C至150°C（寬溫域適應性）。

3. 技術優勢

• 平麵工藝可靠性：采用成熟平麵工藝（yì），通過100%雪崩測試篩選，確保在浪湧電流和過載場景下的穩定性。

• 低導通損耗：優化的RDS(on)設（shè）計，降低功（gōng）耗，適用於高頻（pín）開關電源。

• 封裝兼容性：TO-220F封裝適配多種散熱方案，支（zhī）持緊湊型電路設計。

4. 應用領域

• 消費電子：如適配器（qì）、LED驅動、快充電源（yuán）等。

• 工業控（kòng）製：電機（jī）驅動、逆（nì）變器、電（diàn）源管理係統。

• 新能源領域：光伏（fú）逆變（biàn）、儲能係（xì）統中的功率控製（zhì）模塊。

5. 供應商與技術支持

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提示：如需更（gèng）詳細參數或定製化（huà）方案，可參考維安官網或聯係（xì）授權代理商獲取技術支持。