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WMJ36N65F2

WMJ36N65F2
產品參數

維(wéi)安(ān)超(chāo)結MOSFET 聯係人: 曾先(xiān)生 153-3800-0102

產品詳情

WMJ36N65F2 MOSFET參數詳解

產品基本信息

  • 製造(zào)商:Wayon(維安)

  • 型號:WMJ36N65F2

  • 描述:N-Channel SJ-MOSFET

  • 封裝類型:TO-247

技(jì)術參數詳解

電氣特性

  • 最大漏(lòu)極電壓 (VDS):650V

  • 導通電阻 (RDS(on)) @ VGS=10V(max.):0.105Ω

  • 漏極電流 (ID) @ TA=25℃:36A

  • 功率損耗 (PD) @ TA=25℃:277W

  • 柵極電(diàn)壓 (VGS):30V

  • 柵極閾值(zhí)電壓 (VGS(th)):(Typ.) 4V


市場供應信息

  • 供應商:東莞市日韩va中文字幕无码免费電子有限公司

  • 主營業務:專注於銷售功率半導(dǎo)體元器件,包括進口semihow和維安(ān) 亞成微 龍騰等多種MOSFET產品。

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