碳化矽二極管具有無反向恢複的特性,相比傳統快(kuài)恢複二(èr)極管能夠(gòu)顯著減小開關損耗,提高電源的整體能效。泰科天潤碳化矽二極管作為半導體功率器件的重要(yào)組成部(bù)分,以其出色的性能在快(kuài)充、電源(yuán)管理、電機驅動等多個領域得到(dào)廣泛應..
2024-08-23SGBJ係列三相橋式整流橋堆以(yǐ)其高(gāo)效整流能力、高耐壓與大電流(liú)、高浪湧電流承受能力、寬溫度工作範圍、低功耗設計、薄(báo)型單列直插封裝、高品質與可靠性以及廣泛的應用領域等特點在電力電子設備(bèi)領域占據了重要地位。
2024-08-22由於晶圓製造和電路設(shè)計的複雜性,即使在同一批次的整流橋(qiáo)堆中,不同晶圓對浪湧電流的抵抗能力(lì)也可能(néng)存在差異。這種個體(tǐ)差異和隨機(jī)性也是導致有的晶圓出現裂痕而有的(de)晶(jīng)圓未出現裂痕的(de)原因之一。
2024-08-20Semihow產品的主要優勢體現(xiàn)在技術實力、產品線豐(fēng)富性、性能優勢、市場(chǎng)影響力與合作以及技術支(zhī)持與服務等(děng)多(duō)個方麵。這些(xiē)優勢共同構成了(le)Semihow在功率半導(dǎo)體領域的競爭優勢。
2024-08-20功率器件代理商,日韩va中文字幕无码免费電子的產品涵蓋IGBT單管和IGBT模塊,以滿足高(gāo)功率(lǜ)和高集(jí)成度的應用需求(qiú)。
2024-08-20上(shàng)海維安的 MOS 管 WMJ36N65F2、WMJ53N65F2 和 WMJ90N65SR 憑借其優異的性能、可靠的質量和多(duō)樣化的選擇。
2024-08-16提升MOSFET的功率密度,是MOSFET從業者孜孜不倦的追求。揚傑科技 TO-Leadless(TOLL)MOSFET封裝經過優化,可處理高達 280A的電流(liú),在大(dà)幅減少占 用空間的同時提高功率密度
2024-08-16MOSFET作為現代電子技術中的(de)核心元(yuán)件,具有廣泛的應用領域和重要的技術(shù)價(jià)值。隨著技術的不斷進步,MOSFET的性能將不斷提高,為電子設備的智能化、小型化和高效化(huà)提供有力(lì)支持。
2024-08-15