上海維安（WAYON），作（zuò）為電路保護與功率控製解決方案的領先提供商，專（zhuān）注（zhù）於電路保（bǎo）護元器件、功（gōng）率半導體（tǐ）分立（lì）器（qì）件及模擬集成電路的設計、製（zhì）造與銷售。其中（zhōng），其MOS管係列產品在行業內（nèi）享有盛譽，特別是（shì）WMJ36N65F2、WMJ53N65F2及WMJ90N65SR這三款超結MOSFET，憑借其卓越的性能和廣泛的應用領域，深受市場歡迎（yíng）。以其出色的特性，成為眾多電子工程師和設計師的理想選（xuǎn）擇。

WMJ36N65F2

WMJ36N65F2是一款N溝道超結（jié）MOSFET，專為高（gāo）電壓、高功率應用設計。其主（zhǔ）要參數包括：

• 封（fēng）裝（zhuāng）：TO-247，這種封裝形式確保了良好的散熱性能和機械強度，適合高功率應（yīng）用。

• 漏源電壓（VDS）：650V，表明其能承受高達650V的（de）電（diàn）壓（yā），適用於高壓電路。

• 漏極電流（ID）：在25℃下可達36A，表明其在大電流條件下仍能穩定工作。

• 導通電阻（RDS(on)）：在VGS=10V時，僅為0.105Ω，低導通電阻有助（zhù）於減少功耗（hào），提高（gāo）效率。

• 開啟電壓（VGS(th)）：典型值為4V，較低的開啟電壓意味著更（gèng）低的驅動需求，適用（yòng）於多種驅動電路。

WMJ36N65F2因（yīn）其出色的電氣特性和熱穩定性，能夠快速響應電路中的信號變化（huà），從而提（tí）升整個係統的（de）工作速（sù）度。廣泛應用於開關電源、電機驅動、逆變器及太陽能逆變器等高（gāo）電壓、大電流場（chǎng）景。

WMJ53N65F2

WMJ53N65F2同樣是上海維安推出的一款高性能N溝（gōu）道超結MOSFET，其（qí）主要特點包括：

• 封裝：同樣采（cǎi）用TO-247封裝，保證了（le）良好的散熱（rè）和（hé）機械性能。

• 漏源電壓（VDS）：與WMJ36N65F2相同（tóng），均為650V，適用於高壓環境。

• 電氣特性：雖然具體參數可能因批次不同而略有差異，但整體性能與WMJ36N65F2相近，適合類似的應用場景。

在導通電（diàn）阻方麵，WMJ53N65F2 進一步優化，實現了更低的阻值，從而在大（dà）功率（lǜ）工作條件下（xià）依然能夠保持高效的（de）能量轉換。其快（kuài）速的開關速度和良好的熱穩定性，使（shǐ）其在電源管理、電機驅動等領域表現出（chū）色。WMJ53N65F2憑借其優異的電氣性能和穩定性（xìng），在電力電子領（lǐng）域有著廣泛的應用，尤其是在需要高可靠性和高效率的電源係統中。

WMJ90N65SR

WMJ90N65SR作為維安MOS管係（xì）列中的高端產品（pǐn），其（qí）性能參數更（gèng）為突出：

• 漏極電流（liú）（ID）：在25℃下（xià）高達99A，遠高於WMJ36N65F2和WMJ53N65F2，適用於更大（dà）電流的應用場景。

• 導通電阻（RDS(on)）：在VGS=10V時（shí）僅為（wéi）0.03Ω，是這三款產品（pǐn）中最低的，進一步降低了導通損耗，提高了係統效率。

• 開啟電壓（yā）（VGS(th)）：典型值為3.5V，同樣保持了較低的開啟電壓，便於驅動。

WMJ90N65SR憑借其高電流承載能力和極低的導通電阻，特別適用於對功率要求極高的應用：大功率電源、電動汽車（chē）充（chōng）電站、工業逆變器等高要求的應用領域（yù）。

無論是 WMJ36N65F2、WMJ53N65F2 還是 WMJ90N65SR，上海維安在設計和製造過程中都（dōu）嚴格遵循了高質量標（biāo）準，確保了產品的穩定性和可靠性。這些 MOS 管不僅在性能上（shàng）表現出色，而且在封裝形（xíng）式上也提供了多種選擇，以滿足不同客戶（hù）的安裝（zhuāng）和（hé）使用需求。