導語：綠星電子（zǐ）的功率元（yuán）件（jiàn）可在各式電源與電機驅動應用中實現更高的效（xiào）率（lǜ），功率密度（dù）和成本（běn）效益。 DG-FET™和SuperTrench™產品組合涵蓋20V至200V規格，可同時解（jiě）決（jué）低開關頻率和高開關頻率問題。

DG-FET™介紹

現代科技對運算功率的需求日益（yì）增高，雲端運算、物聯網及社交媒體等主流趨勢，更是發揮了推（tuī）波助瀾的作用。能源消耗量因此大增，電源轉（zhuǎn）換鏈也因（yīn）此需要更高的能源效率。

與傳統溝槽式MOS比較:

顛覆傳統MOSFET技術的DG-FET™是利用額外的多晶矽閘來達成電荷平（píng）衡。藉由電荷平（píng）衡的方式，將致使原（yuán）本MOSFET的空乏區電 場由一維電荷變為由二維（wéi）的電荷分布所決定。

因此其崩（bēng）潰電壓（yā）將較傳統（tǒng）的溝（gōu）槽式MOSFET為高。

若將（jiāng）DG-FET™與現今傳統的溝槽（cáo）式MOSFET相（xiàng）比，為具有相（xiàng）同崩潰電壓之元件，但DG-FET™可以進（jìn）一步降低磊晶層的阻值，因而可以獲得較低的導通阻抗.

另外，由於開關雜訊更低，因（yīn）此采用DG-FET™技術也能有效大幅降低汲級電荷。

Silicongear DG-FET™與友商公（gōng）司Trench關鍵（jiàn）參數MOSFET摘要

1 - MOSFET Gate 加2.2nF 測試啟機狀（zhuàng）態次級驅動（dòng）電壓：

總結：綠星MOSFET,DG-FET係列具（jù）有高速開關速度，業界優異的Ron-Crss表現。

由（yóu）於（yú）具有緩衝效應，DG-FET係列可以抑製（zhì），比SuperTrench係列（liè）更有效地切換噪音和（hé）振鈴。RDS（on）導通電阻比其他同類元件至少降低50%，閘電荷（Qg）比其他裝置少50%。

DG-FET™和SuperTrench™產品組合涵蓋20V至200V規格，可同時（shí）解決低開關頻率和高開關頻率問題。