碳化矽早在1842年就被發覺了，但（dàn）因其製取時的加工工藝難度係數大，而且元器件的產（chǎn）出率低，造成了價錢較高（gāo），這（zhè）危害了它的運用。直至1955年，生長發育高質量碳化矽的方式出現推動了
碳化矽二極管原材（cái）料的發展趨勢，在（zài）航空航天、航空公司、雷達探測和核能發（fā）電開發設計的行業獲得運（yùn）用。80年（nián）代，產品化生產製造的SiC進到銷售市場（chǎng），並運用於原油地暖的勘查、變頻空調的開（kāi）發設（shè）計、平板電（diàn）視機的運用及其太陽能發電轉換（huàn）的行業。
碳化矽二極管的出（chū）現極大地改進了集成（chéng）電路工藝的特性（xìng），考慮（lǜ）社會經（jīng）濟和國防建設的必須，現階（jiē）段（duàn），英國、法國、德國、日本國等資本（běn）主義國家正爭相資金投入（rù）重金（jīn）對碳化矽原材料和元器件開展科學研究。美（měi）國防部從二十世紀90年代就剛開始適用碳化矽電力電子器件的科（kē）學研究，在1991年就取得成功科學研究出了阻隔工作電壓為400V的肖特基二極管（guǎn）。
碳化矽二極管於二（èr）十一世紀初變成第一例社會化的碳化矽電力工程電子元（yuán）器件。英國Semisouth企業研發的SiCSBD（100A、600V、300℃下工作中）早已用在英國皇家空軍多電飛機（jī）場（chǎng）。由碳（tàn）化（huà）矽SBD組成的功率模塊可在高溫、髙壓、強輻射源等極端標準下應用。現階段反方向阻隔工（gōng）作電壓達到1200V的產品係（xì）列，其額定（dìng）電壓可做到20A。碳化矽SBD的產品研發早已做到（dào）髙壓（yā）元器件（jiàn）的水準，其阻隔工作電壓超出10000V，大電流量元器件通態電流量達130A的水準。
碳化矽二極管的擊穿場強很高，電源開關速（sù）率迅速，淨重很輕，而且容積不大，它在3KV之上的鎮流器主（zhǔ）要用途更為具備優點。2001年Cree企業研發出19.5KV的櫥櫃台麵PiN二極管，同一（yī）階段日本國的Sugawara調研室也科學研究出了12KV的櫥（chú）櫃台麵PiN二極管。2006年Cree企業報（bào）導了10KV、3.75V、50A的SiCPiN二極管（guǎn），其（qí）10KV/20APiN二極管係列產品的達（dá）標率早已做到40%。
上（shàng）述所講解的就是
碳化（huà）矽二（èr）極（jí）管的行業發展趨勢，希望看完能夠對（duì）您有所幫助，如果您想要了解（jiě）更多關於碳（tàn）化矽二（èr）極（jí）管的相關信息的話，歡迎在線谘詢客服或（huò）是（shì）撥打本（běn）公司服務熱線（網站右上角）進行谘詢，我們將竭（jié）誠為您提供優質的服務！
