與PN結器件相比，碳（tàn）化矽二極管更像是一種理想的開關。肖特基（jī）二極管最重要的兩個性能指標是其低反向恢複電荷(Qrr)和恢複軟化係數。當二極管電壓變為反向偏置時，低Qrr大大縮短了（le）關斷過程所需的時間，即反向恢（huī）複時間trr。碳化矽二（èr）極管trr小於（yú）0.01微（wēi）秒。它便於在高頻（pín）範（fàn）圍內使用。一些數據顯示，它的工作頻率可以達到（dào）1兆赫(一些報告也顯示，它可以達到（dào）100千兆赫)。高（gāo）軟（ruǎn）化係數將減（jiǎn）少二極管關斷產生的電磁幹擾噪聲，並減少換向操作幹擾。碳化矽二極管還具有優於PN結（jié）器件的優勢，因為它們具有低正（zhèng）向導通電壓和低導通損耗。

　　碳化矽二極管是（shì）一種由貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)製（zhì）成的金屬半導體器件。)A作為（wéi）正電（diàn）極，N型半導（dǎo）體B作為負電極，並且使用在兩者（zhě）的接觸表麵上形成的阻擋層來具有整流特性（xìng）。因為在N型半導體中有大量的電子，而在貴金屬中隻有非常少量的自由電子，所以電子從高濃度的B擴散到低濃度的A。顯然，在金屬A中沒有空穴，因此沒有空穴從A到B的擴散運動。隨著電子（zǐ）繼續從B擴散（sàn）到A，B表麵上的電子（zǐ）濃度逐（zhú）漸降低，表麵的電中性被破壞，從而形成電場方向為B A的勢壘。然而（ér），在該電場的作用下，A中的（de）電子也將（jiāng）產生從A到B的漂移運動，從而削弱由擴散運（yùn）動形成的電（diàn）場。當建立一定寬度的空間電荷區時（shí），電場（chǎng）引起的（de）電子漂移運（yùn）動和不同濃度引起的電（diàn）子（zǐ）擴散運動達到相對平衡，從而形成肖（xiāo）特基勢壘。

　　典型的碳（tàn）化矽二極管的內部電路結構基於（yú）N型半導體，在其（qí）上形成摻雜有砷的N外延層。陽極由鉬或鋁和其他材料（liào）製成，以形成阻擋層（céng）。二氧化矽(二氧化矽)用於消除邊緣區域的電（diàn）場並提高管的耐壓性。該N型襯底具有（yǒu）非常小的（de）導通（tōng）電阻，並且其摻雜濃度比H層的摻（chān）雜濃度高100%。在襯底下麵形成一個氮陰極層，以降低陰極的接觸（chù）電（diàn）阻。通過調（diào）整結構（gòu）參數，在N型襯（chèn）底和陽（yáng）極金屬之間形成肖特基勢壘。當正向（xiàng）偏（piān）置電壓施加到肖特基勢壘的兩端時（shí）(陽極金屬連接到電源的陽極，並且N型襯底連接（jiē）到電源的陰極)，肖特基勢壘層變得更窄，並且其內（nèi）部電阻變得更小。另一方麵（miàn），如果反向偏壓被施加到肖特基勢壘的兩端，肖特基勢壘層變寬，並且其內部電阻變大（dà）。

　　上述所講解的就是碳化矽二（èr）極管（guǎn）的基本特征，希望看完能夠對您有所（suǒ）幫助，如果您想（xiǎng）要了（le）解（jiě）更多關於（yú）碳化矽二極管（guǎn）的相關信息的話（huà），歡迎在線谘詢客服或是撥打本公司服務熱線（網（wǎng）站右上角）進行（háng）谘詢，我們將竭誠為您提（tí）供優質的服務（wù）！