肖特基二極管是以其（qí）發明者（zhě）肖特基博士的名字命（mìng）名的，SBD是肖特基二極管(SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導（dǎo）體和N型半導體接觸形成PN結（jié）的（de）原理，而（ér）是利（lì）用金屬-半導體接觸形成金（jīn）屬-半導體結的原理。因此，SBD也被稱為（wéi）金屬半導體(接觸)二極管或表麵（miàn）勢壘二（èr）極管，它是一（yī）種熱載（zǎi）流子二極管。
肖特基二極管是由貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)製成的金（jīn）屬（shǔ）半導體器件。)A作為正電極，N型半導體B作為負電極，並利用在兩者的接（jiē）觸表麵上形成的勢壘的整流特性。因為在N型半導體中有大量（liàng）的電子，而在貴金屬中隻有非常少量的自由電子，所以電子從高濃度的B擴散到低濃度的A。顯然，在金（jīn）屬（shǔ）A中沒有空穴，因此（cǐ）沒（méi）有空（kōng）穴從A到B的擴（kuò）散運動。隨著電子（zǐ）繼續從B擴散到（dào）A，B表麵上的電子濃度逐漸降低，表（biǎo）麵的電中性被破壞，從（cóng）而形（xíng）成電場方向為（wéi）B A的勢壘。然而，在該電場（chǎng）的作用下，A中的電子（zǐ）也將產生（shēng）從A到（dào）B的（de）漂移運動，從（cóng）而削弱由擴散運動形成的電場。當建立一定（dìng）寬度的空間電荷區時，電場引起的電子（zǐ）漂移運動和不（bú）同濃（nóng）度引起的電子擴散（sàn）運動達到（dào）相對平衡，從而形成肖特基勢壘。
典型的肖特基整流（liú）器的內部電路結構基於（yú）N型半導體，在其上形成摻雜有砷的N外延層。陽極由鉬或鋁和其他材料製成，以（yǐ）形成阻擋層。二氧化（huà）矽(二氧化矽（guī）)用於（yú）消除邊緣區域的電場並提高管的耐（nài）壓性。該N型襯底具有（yǒu）非常小的導通（tōng）電阻，並且其摻雜濃度比H層的摻雜濃度高100%。在襯底下麵形成（chéng）一個氮陰極層，以降低陰極的接觸電（diàn）阻。如圖所（suǒ）示，通過調整結構參數，在N型襯底（dǐ）和陽極金屬之（zhī）間形成肖特基勢壘。當正向偏置電壓施加到肖特基勢壘的兩端時(陽極金屬連（lián）接到電源的陽極，並且N型（xíng）襯底連接到（dào）電源（yuán）的（de）陰極)，肖特基（jī）勢壘層變得更窄，並且其內部電阻變得更小（xiǎo）。另一方麵（miàn），如果反向偏壓被施加到肖特（tè）基勢壘的兩端，肖特基勢壘層變寬，並且其內部電（diàn）阻變大。
肖特基二極管的結構原理與PN結整流管有很大（dà）不同。PN結整流管（guǎn）通常被稱為結（jié）整流管，而金屬半導管整流管被稱為肖特基整流管。用矽平麵工藝製造（zào）的鋁矽肖特（tè）基二極管也已問世，它不僅可以節約貴金屬，大大降低（dī）成本，還可以提高（gāo）參數的（de）一致性（xìng）。
上述（shù）所講解的就是
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