碳化（huà）矽二極管比PN結元器件（jiàn）的（de）個人行為特點更像一個理（lǐ）想化的電源開關。肖特基二極管最重要（yào）的2個性能參數便是它的低（dī）反向恢複正（zhèng）電荷(Qrr)和它的修複軟化係數。低Qrr在二極管工作（zuò）電壓換為反方向參考點時，關掉過程中所需時間，即反向（xiàng）恢複時間trr大大縮（suō）短。下列（liè）列出肖特基二（èr）極管trr低於0.01彼此之間。有利於用以（yǐ）高頻率範疇，有材料詳細介（jiè）紹其輸出功率達到1MHz(也是有報導達到100GHz)。高軟化係數會降低二極管關掉所造成的EMI噪音，減少調速實（shí）際操作影響。

　　碳化矽二極管還有一個比PN結元器件優異的指標（biāo）值是正指導接電源（yuán）放（fàng）低，具備低的通斷耗損。碳化矽二（èr）極管也是有（yǒu）2個缺陷，一是（shì）反方向抗壓（yā）VR較（jiào）低，一般僅有（yǒu）100V上下;二是反方向泄露（lù）電（diàn）流IR很大。

　　碳化矽二極管是貴重金屬（金（jīn）、銀、鋁、鉑等）A為正級，以N型半導體B為負級，運用（yòng）二（èr）者表麵上產（chǎn）生的勢壘具備整流器（qì）特點而做成（chéng）的金屬材料-半導體元（yuán）器件（jiàn）。由於N型半導體中存有（yǒu）著很多的電子器件，貴重金屬中僅有少量的自由電（diàn）荷，因此 電子器件便從濃度值高的B中往（wǎng）濃（nóng）度值低的A中外擴散。顯而易見（jiàn），金屬材料A中沒有空化，也就不會有空化自（zì）A向（xiàng）B的外擴（kuò）散健身運動。伴隨著電子器（qì）件持續從B外（wài）擴散到A，B表層電子器件濃度值慢慢（màn）減少（shǎo），表層電荷平衡被毀壞（huài），因此就產生勢壘（lěi），其電場方（fāng）向為B→A。但在（zài）該靜電場功效之中，A中的電（diàn）子器件也會造成從A→B的飄移健身運動，進而消弱了因為外擴散健身運動而產生的（de）靜（jìng）電場。當創建起一定總（zǒng）寬（kuān）的空（kōng）間（jiān）電荷區後，靜電場造成的（de）電子器件飄移（yí）健身運動和（hé）濃度值不一樣造（zào）成的電子器件外（wài）擴散健身運動做到相對性的均衡，便產生了（le）肖特（tè）基（jī）勢壘。

　　典型性的肖特基整流管的（de）內部電源電路構造是（shì）以N型半導體為襯底，在上麵產生（shēng）用砷作摻雜劑的N-外延性層。陽極氧化應用鉬或鋁等原材料做成（chéng）阻檔層。用二氧化矽（guī）（SiO2）來清除（chú）邊沿地區的靜電場，提升水管的（de）抗壓值。N型襯底具備不大的通態電阻器，其夾雜（zá）濃（nóng）度值較（jiào）H-層要高100%倍。在襯底下麵產生N+負（fù）極層，其功效是減少負極（jí）的回路（lù）電阻。根（gēn）據優化結構主要參數，N型襯底和陽極氧化金屬材（cái）料中間便（biàn）產生肖特基（jī）勢壘（lěi），如下圖所示。當在肖特基（jī）勢壘兩邊再加順向偏壓（陽（yáng）極氧化金屬（shǔ）材料插線正（zhèng）級，N型襯底插線負級）時，肖特基勢（shì）壘層變小，其內電阻縮小；相反，若在肖特（tè）基勢壘兩邊再加反方向（xiàng）偏壓時，肖特基勢壘層則變大，其內電阻增大。

　　上述（shù）所講解的就是碳化矽二極管（guǎn）與（yǔ）肖特基（jī）整流管的原理區別，希望看完能夠對您有所幫助（zhù），如果您想要了解（jiě）更多關於碳化矽二（èr）極管的相關信息的話，歡迎（yíng）在線（xiàn）谘詢客服（fú）或是撥打本公司服務熱線（網站右上角）進行谘詢（xún），我們將竭（jié）誠為您提供優（yōu）質的服務！