碳化矽二極管是一種適用於功率半導體的革命性材料，其物理屬性遠遠優於矽（guī）功率器件。重要特（tè）點包含榜樣性的電源開關特性、沒有反向（xiàng）恢複電流量、溫度基本上（shàng）不容易危害電源開（kāi）關個人行為和規範操作溫度範疇為-55℃至175℃。碳化矽肖（xiāo）特基二極管（SiCSBD）的（de）器件選用了斷勢壘肖特基二（èr）極管構造（JBS），能夠合理減少反方向泄露電流（liú），具有更強的耐髙壓工作能力（lì）。
碳化矽二極管是一種（zhǒng）單極型器件，因而對比於傳統式的矽快修複二極管（SiFRD），碳化矽二極管具備理想化的反（fǎn）向恢複特點。在器件從（cóng）正指導通往反方向阻隔變換時（shí），基本上沒有反向恢複電，反向恢複時間低於20ns，乃至600V10A的碳化矽二極管的反向恢複時間在10ns之內。因而碳化矽二（èr）極管（guǎn）能夠工作中在高些的（de）頻率，在同樣頻率下具備高些的高效率。另一個關鍵的特性是碳化矽二極管具備正的溫度係數，伴隨著溫度的升（shēng）高電阻（zǔ）器也慢慢升高，這與矽FRD恰（qià）好反過來。這促使碳化矽二極管特別適合串聯好用，提升了係統軟件的安全係數和可信性。
碳化矽二極管是髙壓迅速（sù）與低（dī）輸出功（gōng）率（lǜ）耗損、耐熱緊密結合的理想（xiǎng）化器件。現階段國際性（xìng）上陸續研製水準（zhǔn）較高的多類型的碳化矽器件。SICSBD做為零修複二極管，對高頻率輸出功率電源電路（lù）有非常（cháng）大改進。碳化矽二極管與眾不同的高溫特點使其在高溫自（zì）然環境（jìng）的輸出功率（lǜ）運用中（zhōng）具備潛在性優點。碳化矽二極管因髙速trr而使（shǐ）開關損耗減少，加上VF的改（gǎi）進，在輸出功率二極管中能夠說成耗損最少的二極管。碳化矽二極管因VF減少，而完（wán）成更低通斷耗損。順向特點數據圖表的鮮紅色波型是第一代SiC-SBD，深藍色是（shì）第二代，可確定VF的減少（shǎo）。
碳化矽二極管的（de）各類性能指標均優於一般雙極（jí）二（èr）極管技術性。碳（tàn）化矽二極管通斷與關閉（bì）情況的變換速率十分快，並且沒有一般（bān）雙極二（èr）極（jí）管（guǎn）技術性電源開（kāi）關時的（de）反向恢複電流量。在清除反（fǎn）向恢複電流量效用後，碳（tàn）化矽二極管的耗能減少70%，可以在（zài）寬溫（wēn）度範圍內維持高（gāo）能（néng）耗等級，並提升設計方案工作（zuò）人員優化軟件輸出功率的協調能力。
上述所講解的就是
碳化矽二極管的應用優勢，希望看完能夠對您有所幫助，如果您想要了（le）解更多（duō）關於碳化矽二極管的相關信息（xī）的話（huà），歡迎在線谘詢客服或是撥打本公司服務熱線（網（wǎng）站右（yòu）上角）進行谘詢，我們將竭誠為您提供優質的服務（wù）！
