CoolMOS的使用是一個趨勢，因（yīn）為平麵MOS已經（jīng）不能（néng）滿足電（diàn）源的效率溫度等（děng）需求。

CoolMOS的應用優勢

1.導通阻抗小，導通損耗小

由於SJ-MOS 的Rdson 遠遠低於VDMOS，在係統電源類產（chǎn）品中SJ-MOS 的導通損耗必（bì）然較之VDMOS要減（jiǎn）少的多。

其大大提高了係統產品上麵的單體MOSFET 的導通損耗，提高（gāo）了係統產品的（de）效率，SJ-MOS的這個優點在大功率、大（dà）電流類的（de）電源產品產品上，優勢表現的尤為突出。

2.同等功率規格下封裝小，有利於功率密度的提（tí）高

首先，同等電流以及電壓規格條件下，J-MOS 的（de）晶源麵積要小於VDMOS 工藝的（de）晶源（yuán）麵（miàn）積，這樣作為MOS 的廠家，對於同一規格的產（chǎn）品，可以封裝出來體積相對較（jiào）小的產品，有利於電源係統功率密度的提高。

其次（cì），由於SJ-MOS 的導通損耗的降低從而降低了電源類產品的損耗，因為這些損耗都是（shì）以熱量的形式散發出去（qù），我們在實際（jì）中往（wǎng）往會增加散熱器來降低MOS 單體的溫升，使其保（bǎo）證在合適的（de）溫（wēn）度範（fàn）圍內。

由於SJ-MOS 可以有效的減少發熱量，減小了散熱器的體積，對於一些功率稍低的（de）電源，甚至使用SJ-MOS 後（hòu）可以將散熱（rè）器徹底拿掉。有（yǒu）效的提高了係統電源類產品的功（gōng）率密度。

3.柵電荷小，對電（diàn）路的驅動能力要求（qiú）降（jiàng）低

傳統VDMOS 的柵電荷相對較大，我們在實際應用中經（jīng）常會遇到由於IC 的（de）驅動能力不足（zú）造成的溫升問（wèn）題，部分產（chǎn）品在電路設計中為了增加IC 的驅動（dòng）能力，確保MOSFET 的快速導通，

我（wǒ）們不（bú）得不增加推挽或其它（tā）類型的驅動電路，從而（ér）增加了電路的複雜（zá）性。SJ-MOS 的柵電容相對（duì）比較小，這樣（yàng）就可以降低其對驅動能力的要求，提高了係統產品的可靠性。

4.節電（diàn）容小（xiǎo），開關（guān）速度加快（kuài），開（kāi）關損耗小

由於SJ-MOS 結構的改變，其輸出的節電容也（yě）有（yǒu）較大的降低，從而降低（dī）了其導通及關斷過（guò）程中的損（sǔn）耗。同時由（yóu）於SJ-MOS 柵電容也有了響應的減小，電容充（chōng）電時間變短，大大的提高了SJ-MOS 的開關速度。

對於頻率固定的電源來說，可以有效的降低其開通及關斷損耗。提高（gāo）整個電源（yuán）係（xì）統的效率。這一點尤其在頻率（lǜ）相對較高的電（diàn）源上，效果更加明顯。

MOS在發展（zhǎn），損耗會（huì）越來越低。電源方案隻會（huì）朝著更高效率和更小（xiǎo）體積發展。

Coolmos的宗（zōng）旨是追（zhuī）求：開關低損耗。在Coolmos上，是通過P柱，形成更大的PN結，從而降低Rds。Coolmos降低了Rds，所以它的EAS能力較（jiào）之平麵管要低，這也對電源設計者提出了更高（gāo）的要求。

SEMIHOW利用多層外延工藝實現的COOLMOS產（chǎn）品（pǐn）助力工程（chéng）師對產品的小型化設計,並解決（jué）EMI,EMC測試不好通過的問題。

較其他公司使用的（de）溝槽（cáo）超級結工藝，這些多層外延的MOSFET實現了前所未有的（de）性能改進。諸如（rú）智能手機和（hé）平板電腦（nǎo）充電器以及筆記本電腦適配器等電磁幹擾（EMI），電（diàn）磁兼（jiān）容（EMC）受益於此優勢。

此外，CoolMOS支持針對小體積PD電源，電視適（shì）配（pèi）器、照（zhào）明、音響和輔助電源的快速開關和（hé）高（gāo）功（gōng）率密度設計，目前（qián）推出的量產品種包含600V~900V的電壓係列。

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