一、mos管的特點
1.mos管是電壓控製器件，通過VGS(柵極電壓)控製ID(漏電電流)
2.mos管的控製輸入（rù）端電流（liú）極小，因此其（qí）輸入電阻(10-10ω)大。
3.利（lì）用許多載流子導電，溫度穩定性好
4.其（qí）構成的放大電路的電壓放大（dà）係數必須小於三極管構成（chéng）的放大（dà）電路的電壓放大係數
6.由於沒（méi）有雜亂運動的電子擴散引起的顆粒噪音，噪音低。
二、mos管的作用。mos管，即在集成電（diàn）路中（zhōng）絕緣mos管（guǎn）。MOS英語全稱為金屬氧化物半（bàn）導體（tǐ），描述了集成電路中的結構，即在一定結構的（de）半導體設備加入二氧化矽和金屬形成（chéng）柵極。mos管的source和drain可（kě）以對調，是p型backgate形成（chéng）的n型（xíng）區域。
1.mos管可用（yòng）作可變電阻，也可用於放大。由於mos管功放的輸入阻抗高（gāo），耦合電容器容量小，無需（xū）使用解電容（róng）器。另外，mos管的高（gāo）輸入阻抗非常適合作為阻抗變化。常用於（yú）多級功放（fàng）的（de）輸（shū）入級阻抗轉換。mos管可（kě）以方便地用作恒流源，也（yě）可以用（yòng）作電子開關。
2.有些場合mos管的源極和漏極可以（yǐ）交換使用，柵極壓力也正負，靈活性優於（yú）晶體管。
mos管可以在很小（xiǎo）的電流和很低（dī）的（de）電壓條件下工作，其製（zhì）造技術可以簡單地將很多mos管集成到矽片上，因此mos管廣泛應用於大型集成電路。
3.一般（bān）電（diàn）子電（diàn）路通常用於放大電路或開關電（diàn）路。在主板電源穩定電路（lù）中，MOSFET發揮的作用主要是判斷電位，在主板上常（cháng）用q和數字表示。
4.目前主板和顯卡采用的不多，一般有10個左右，主要原因是大部分集成到IC芯片中。主要為附件提供穩定的電壓，一般用於CPU、AGP槽、存儲槽附近。其中，在CPU和AGP槽附近設置了MOS管（guǎn），但存儲槽共用了MOS管，一般以兩組一組的形式（shì）出現在主板上。
5.mos管還有一個非常重要的性能參數。主要包（bāo）括環境溫度、管殼溫度、貯藏溫度等。由於（yú）CPU頻（pín）率的提高，MOS管需要承受的電流也隨著增強，提供近（jìn）百A的電（diàn）流已經很常見。
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