mos管一般就是pmos，靠空穴流動運送電流的（de）mos管。那要如何選擇一個合（hé）適（shì）的mos管呢？

　　一、選擇n溝道還是p溝道。在典型的功率應用中，mos管（guǎn）接地，負荷連接到幹（gàn）線電壓時，該mos管管構成（chéng）低壓側開關。在低壓側開關（guān）中，應采（cǎi）用n溝道mos管，這是關閉或導通部件所需的電壓。mos管連接到總線和負荷接地時，請使用高壓側開關。通常在這（zhè）個中采用p溝道的（de）mos管，也是為了考慮電壓驅動。選擇適合應用的（de）設備，必須（xū）確定驅動設備所需的電壓（yā）和設計中比較簡單的執行方法。

　　二、確定額定電流。根據電路結（jié）構，這個額（é）定（dìng）電流應該是所有情況下（xià）都（dōu）能承受的較大電流（liú）。與電壓（yā）狀況類似，設計人（rén）員務必確保（bǎo）選用（yòng）的mos管能夠承種（zhǒng）額定電流，即（jí）使係統產生尖峰電流。兩個（gè）考慮的電流狀況是（shì）連續（xù）模式和脈（mò）衝高峰。在連續導向模式下，mos管（guǎn）穩定，此時電流連續通過設備（bèi）。脈（mò）衝尖峰是指大量電湧(或尖峰電流)流過設備。隻要確定了這些條（tiáo）件下的較大電流，就可以直接選擇能夠承受這個較大電流（liú）的設（shè）備。

　　三、計算導（dǎo）通損失。實（shí）際上，mos管（guǎn）不是理想的設備。因為在導電過程中會產生電力損失，所以被稱為導（dǎo）電損（sǔn）失（shī）。mos管在“導通”時像可（kě）變電阻，由設備（bèi）的RDS(ON)決定，隨著溫度而顯著變化。設備的功力消耗可以用Iload2×RDS(ON)計算，由於導通電阻隨（suí）溫度的變化，電力消耗也會按比例（lì）變化（huà）。對（duì）mos管施加的電壓VGS越高，RDS(ON)越小，RDS(ON)越高。對於係統設計者來說，這是根據係統（tǒng）的電壓需要折中權（quán）衡（héng）的地方。在便（biàn）攜式設（shè）計中，采用較（jiào）低的電壓更（gèng）容易(更常見)，而對於工業設計，可以使用較高的電壓。請注意RDS(ON)電阻隨電流稍微上升。RDS(ON)電阻的各種電參數變化可以在製造商提供的技術資料表中找到。

　　四（sì）、確定熱（rè）要求。設計人員必須（xū）考慮兩種不同的情況，建議采用很不好（hǎo）的情況計算結果。因（yīn）為這個結（jié）果提供（gòng）了更大的安全餘（yú）量，所以係統不會失效。mos管的資料表（biǎo）上有（yǒu）需要注意的測量數據，例如包裝部件的半導（dǎo）體結和環（huán）境之間的熱阻和較大結溫。

　　設備的結（jié）溫等於環境溫度極限和熱（rè）阻和功率消耗的乘（chéng）積(結溫=較大環境溫度（dù）+[熱阻×功（gōng）率（lǜ）消耗])。根據該（gāi）方程可以解決係統的較大功率（lǜ）消（xiāo）耗，即根（gēn）據定義相（xiàng）當（dāng）於I2×RDS(ON)。設計者決定通過設備的較大電（diàn）流，因此可以（yǐ）計算不同（tóng）溫度的RDS(ON)。值得注意的是，在處（chù）理簡單的熱模型時（shí），設計（jì）者還必須考慮半導體結/設（shè）備外殼和外殼/環境的熱容量，即印刷電路板和封裝不會立即升溫。

　　五、決定（dìng）開關的性能。影響開關性能（néng）的參數有很多，但重要的（de）是柵極/漏極、柵極/源和漏極/源極電（diàn）容器。這些（xiē）電容器在設（shè）備中產生開關損（sǔn）失。因為每次開關都要充電。mos管的開關速度下降（jiàng），設備效率也下降。為了計算（suàn）開關（guān）中設備的總（zǒng）損失，設（shè）計（jì）者必須計算開關中的損失(Eon)和關閉中的損失(Eoff)。MOSFET開（kāi）關的總功率如下:Psw=(Eon+Eoff)×開關（guān）頻率（lǜ）。柵（shān）極電荷(Qgd)對開關（guān）性能的影響非常大。

　　那麽今天（tiān）的講解就先到這裏了，以上就（jiù）是今天的全部內容，相信大家對如何正確選（xuǎn）擇mos管也有了一定的認識。非（fēi）常感謝您的耐心閱讀。如還想了解更多關於mos管的相關問題（tí），您（nín）可以撥打右上角的服（fú）務熱線，與我們谘詢。