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發力新(xīn)基建(jiàn),維安半導體推出國內16.5mΩ超低內阻超結MOSFET

受益於國家(jiā)對新基(jī)建項目的重視,新能源電動汽(qì)車充電樁和5G基站建設速度(dù)迅猛。應新能源(yuán)汽車續航裏程提升和快速(sù)充電的要求,充電樁的功率已高(gāo)達120KW到180KW。同樣,5G領域也很講求功率的高(gāo)效性,5G基站單站滿載功率近3700W,約為4G基站的2.5~3.5倍,電費亦會隨之攀升至3G、4G的4~5倍之大。麵對這些用電大戶,耗電問題將是5G時代運營商無法回避(bì)的(de)問題。降(jiàng)低能耗(hào),提升電源效率,是選擇功率(lǜ)半導體器件時的主要考慮因素。目前(qián),功率MOSFET中TO-247封(fēng)裝是充電機、充電樁和基站高功率電源模塊應(yīng)用中最通用的封裝形式(shì)。針對超低內(nèi)阻的高壓MOS產品需求,在常規TO-247封裝不(bú)能滿足的情況下,電(diàn)源工程師往往會使用諸(zhū)如TO-247MAX,、TO-3P(L) 、TO-264、PLUS TO-247等超大體積封裝來代替。這種超大封裝不僅不通用,且成本較高。 順應趨勢,維安經過多年的SJ-MOS技術研發創新,開發出(chū)行業內超低導通電阻產品——WMJ120N60CM,采用常規(guī) TO-247封裝的600V高壓SJ-MOS,導通電阻Rdson低至16.5mΩ,能夠(gòu)有效提升電源功率密度,解決應用(yòng)痛(tòng)點。

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圖1:常規TO-247 封裝示意圖

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圖2:常規TO-247導通電阻Rdson 對比(bǐ)

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圖3:常規TO-247 品質因數(shù)FOM對比

在品質因數FOM(Rdson*Qg)方麵,WMJ120N60CM達到業(yè)界(jiè)領先水平。

在3.3KW PFC模(mó)塊電路測試中,WMJ120N60CM和行業某知名廠商的65R019C7效率幾乎無差異,甚至比60R019C7高出0.15~0.34%; 對應的輸入功耗小了1~4W。

WMJ120N60CM具有業內領先的導通電阻Rdson,且是TO-247通用封裝,在有效(xiào)提升電(diàn)源功率密度的同時(shí)又節(jiē)省了空間。目前此款產品(pǐn)主(zhǔ)要麵向高功率電源模塊,比如新能源汽車地麵充電樁模塊電(diàn)源,通信電源和高功率充電機等行業,在減少成(chéng)本費(fèi)用的情況下實現(xiàn)高效,加速(sù)新(xīn)基建全麵落(luò)地。

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