第一電路設計（jì）。讓
mos管工作在線性工作狀態，而不是開關狀態。如果用N-mos做開關，G電平電壓要比電源高幾V才能完全導通，P-mos則相反。不完全打開（kāi）導致壓（yā）降過大導致功耗，等效DC阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就是（shì）發熱。
第二，工作頻（pín）率。這是調試過程（chéng）中常見的現象，降頻主要是（shì）兩個方麵造成的。輸入電壓與負載電壓之比小，係統幹擾大。對於前者，請注意不要將負載電（diàn）壓設置（zhì）得（dé）太高（gāo），盡管負載電壓高（gāo）時效率會更高（gāo）。對於後（hòu）者，可以嚐（cháng）試以下幾個方麵:
1.將最小電流（liú）設置為較小的值。
2.清潔（jié）布線，尤其（qí）是關鍵的傳感路徑。
3.選擇電感（gǎn）的小點或閉合（hé）磁路的電（diàn）感。
4.加RC低（dī）通濾波器，這個效果有點差，C的一致性也不好，偏差有（yǒu）點大，不過應（yīng）該夠照明了。無論如何，降頻（pín）沒有好處，隻有壞處，所以必須解（jiě）決。
有（yǒu）時候mos管的頻率太高，主要（yào）是對體（tǐ）積的過分追求（qiú），導致頻率增加，mos管上的損（sǔn）耗增加，所以發熱也增（zēng）加。
第（dì）三，散熱設計。電路板散熱設（shè）計不（bú）好，電（diàn）流過大。mos管的標稱電流值一般需要散熱好。因此，如果ID小於額定電流，則熱量可能嚴（yán）重（chóng），需要足夠的輔（fǔ）助散熱器。
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