肖特基二極管（Schottky Diode），也稱肖特基勢壘（lěi）二極管，其內部結構相對獨特，主（zhǔ）要由以下部分組成：

一、主要構成（chéng）部（bù）分

1. • 肖特基二極管的（de）內部結構示意圖通常展示為一個五層器件，從下到上依次為：

   • N+陰極層：這是肖特基二極管的最底層，與陰極金屬（shǔ）相連，用於（yú）減小陰極的接觸電阻。

   • N型基片：位於（yú）N+陰極層之上，具有較小的通態電阻，是肖特基二極管中電子傳輸的主要通道。

   • N-外（wài）延層：這是N型基片之上的一層，摻雜濃度較低，通常使用砷等雜質進行摻雜。

   • 肖特（tè）基勢壘層（céng）：這（zhè）是由金（jīn）屬與N-外延層緊密接觸後形成的特殊區域。當金屬與N型半導體接觸時，由於兩者的功函數不同，會（huì）在接觸界麵處形成電子勢壘，即肖特基勢壘。這個勢壘（lěi）阻礙了（le）電子從半導體向金屬的流動，同時也限（xiàn）製（zhì）了反向電流的（de）大（dà）小。

   • 陽極金（jīn）屬：這是肖特基二極（jí）管的頂層（céng），通常由金、銀、鋁、鉬等貴金（jīn）屬製成（chéng）。陽極（jí）金屬與N-外延層之間通過肖特基（jī）勢壘相連，形成二極管的整流（liú）結（jié）構。

二、肖特基勢壘

通過調整結構參（cān）數，在N型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。這是肖特基二極管工（gōng）作的關鍵部分。

三、工作原（yuán）理

1. 正向偏壓：當在肖特基勢壘兩端加上正向（xiàng）偏壓（陽（yáng）極金屬接電源正極，N型基片接電源負極）時，肖特基勢（shì）壘層變窄，其內阻變小，二極管處於導通狀態。

2. 反向偏壓：當在肖（xiāo）特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基（jī）勢（shì）壘層變寬，其內阻變大，二極管（guǎn）處於截止狀態。

四、工藝結構

肖特基二極管主要有（yǒu）兩種工藝結構：

1. 點接觸結構：用一根尖端細金屬絲與（yǔ）半導（dǎo）體接觸製成，通過機械接觸或用放電工藝得到（dào）一個很小（xiǎo）的（de）合金結。

2. 平（píng）麵接觸結構：具（jù）有更大的接觸麵（miàn）積，通常（cháng）用於需要更（gèng）高（gāo）電（diàn）流容（róng）量的應用。

五、特點與應用

肖（xiāo）特（tè）基二極管具有正向導通壓（yā）降小（約0.45V）、反（fǎn）向恢複時間短、開關損耗小等特點，是一（yī）種低功耗、超高（gāo）速半（bàn）導體器件。然而，其反向耐壓值較低（dī），反（fǎn）向漏電流較大，因此適用於（yú）低壓、大電流、高頻整流等場合。