VDMOSFET（平麵MOS）全稱垂直（zhí）型雙擴散金屬（shǔ）氧化物半（bàn）導體（tǐ）場效應晶體管（Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），它具有高輸入阻抗，開關速度快，熱（rè）穩定性好等（děng）優點，同時具有正溫度（dù）係數和良好的電流自調節能力。

維安VDMOS的產品優勢及（jí）特（tè）點

在VDMOSFET的（de）設計中，維安重點優化耐壓和導通電阻的（de）矛盾，提高耐壓並兼顧低導通電（diàn）阻；同時降（jiàng）低Qg及開關損耗。維安VDMOSFET通過優化設計提（tí）高雪崩耐量、拓寬安全工作區進而提高通用性和耐用性。針對工業控製等高可靠應用場景，維（wéi）安開發高質量的氮化矽鈍化層工藝，顯著提高器件的可（kě）靠性。

依托維安成（chéng）熟的（de）電源及工業控製客戶群，維（wéi）安開發（fā）了200V-1500V的VDMOSFET產品，電流涵蓋2A~40A，封裝涵蓋TO-251，TO-252，TO-262，TO-220/F，TO-247，TO-3PF等；

VDMOS被廣（guǎng）泛應用（yòng）於適配器、LED驅動電源、TV電源、工業控製、電機調速、音頻放大、高頻振蕩器、不間斷電（diàn）源、節能燈、逆變器等各個領域。

維安MOS管-功率半導體作為電力（lì）係統的重要組（zǔ）成部分，是提升能源效率的決定性因素之一。未來維安會結合客戶應用開發更多（duō）的VDMOS新規格、新封裝；比如高壓（yā）300V，400V快恢複係列等（děng）規格。為客戶提供（gòng）更多選擇，以在高性能效率轉換、高可靠應用場合實現效（xiào）率、功率密（mì）度和可靠性的最佳組合。