龍騰半導體LSG65R650GMB TO-252功率MOSFET產品介（jiè）紹
產（chǎn）品概述

LSG65R650GMB是龍（lóng）騰半導體(LONTEN)推出的一款（kuǎn）N溝道功率MOSFET，采用先進的超結(Super Junction)技術製造，封裝形式為TO-252(DPAK)。該產品屬於龍騰半導（dǎo）體650V高壓MOSFET係列，專（zhuān）為高效率電源轉換應用（yòng）而設計，特別適（shì）合空間受限的中小功率場景。

技術參數
參數名（míng）稱 參數值 備注
漏（lòu）源電壓(Vdss) 650V 最大額定值
連續漏極電流（liú）(Id) 7A 25°C環境溫度下
柵源極閾值電壓（yā） 4.5V @ 250uA 典型值
漏源導通（tōng）電阻(RDS(on)) 650mΩ @10V,3.5A
最大功率耗散 28W Ta=25°C時
封裝形（xíng）式 TO-252(DPAK) 表麵貼裝型
技術（shù）類型 超結VDMOS Super Junction技術（shù）

注：以上參數基於類似型號LSG65R650HT的技術規格整理，建議聯係龍騰半導體獲取LSG65R650GMB的精確參數。

TO-252封裝特點（diǎn）

結構（gòu）設（shè）計‌

表麵貼（tiē）裝型功率封裝，尺寸比直插式封（fēng）裝小
背麵有（yǒu）較大散（sàn）熱焊盤，可（kě）直接焊接在PCB上
散（sàn）熱銅箔麵積達25mm²，配合1.6mm厚（hòu）FR4基板可實現8℃/W熱阻

散（sàn）熱性能‌

通過PCB進行散熱，需設計大麵積覆銅和散熱過孔
在器件3mm範圍內建議（yì）布置（zhì）溫度傳感器
工作環境（jìng）溫度超過70℃時建議添加（jiā）微型散熱鰭片

與TO-220F對比‌

體積更小，適合高密度布局和空間受限場景
散熱性能略低於（yú）TO-220F，但更節省空間
適用於高壓在7N以下，中壓在70A以下環境中（zhōng）
產品特點

高效率設（shè）計‌

采用超結(Super Junction)技術，顯著降低導通電阻
相比傳統平麵MOSFET，導（dǎo）通損耗降低約22.3%
優化的柵極電荷特性，減少開關損（sǔn）耗

高可靠性‌

100%通過UIS(Unclamped Inductive Switching)測試
符合RoHS環保（bǎo）規範，無鉛無鹵素（sù）
優化的熱設計，提高高溫工作穩定性

應用友好性‌

標準TO-252封裝，便於（yú）自動化（huà）生產
與行業主流MOSFET引腳兼容
簡化電路設計，降低（dī）係統成本
應用領域

LSG65R650GMB適用於多種高效率電源轉換（huàn）場景：

應用類別 典型應用
消費電子 LED驅動電源、適配器、PD快充
計（jì）算機 服務（wù）器（qì）電源、PC電源
工業電（diàn）子 開關電源、工業（yè）電源
新能源 光伏逆變器輔助（zhù）電源

特（tè）別適用於需要高效率、高功率密度且空間受限的（de）電源設（shè）計場景。

使用（yòng）建議

電路設（shè）計注意事項‌

建議工作電壓不超過520V，留足設計餘量
柵極驅動電阻推薦值10-22Ω，平衡開關速度與EMI
確保PCB散熱設計良好，建議使用2oz銅厚

焊接（jiē）工藝‌

回流焊峰值溫度需控製在260℃以（yǐ）內（nèi）(10秒持續時間)
手工補焊時應避免烙鐵直接接（jiē）觸（chù）散熱焊盤
維修時需要專用（yòng）熱（rè）風拆焊設備

可靠（kào）性（xìng）保障‌

避免超（chāo）過最大額定參（cān）數使用
注意PCB布局，減少寄生參數影（yǐng）響
建議進（jìn）行老化測試驗證長（zhǎng）期可靠性
製造商背景（jǐng）

龍騰半導體有（yǒu）限（xiàn）公司（sī）是一家專注於新型功（gōng）率半導體器件研發的（de）高（gāo）新技術企業，通過ISO9001-2015質量體係認證。公司在功率半導體領域擁有83項專利，並參與製定了超結功率MOSFET國家行業標準(SJ/T 9014.8.2-2018)。

公司產品線涵蓋超結MOSFET、IGBT、快恢（huī）複二極管等多個（gè）係列（liè），廣泛應用於（yú）消費電子、工業（yè）電源、新能源汽車等領域。龍騰半導體建有國內一（yī）流的研發中心和應用測（cè）試實（shí）驗室，持續推（tuī）動功率半（bàn）導體技術創新。