LSD65R180GMB是一款 N-Channel MOSFET，其主要參數如下：
• 最大漏源電壓 (V_DS)：650 V
• 最大漏極電流 (I_D)：20 A
• 最大功耗 (P_D)：34 W
• 最大柵（shān）源電壓 (V_GS)：±30 V
• 最大門閾電壓 (V_GS(th))：5 V
• 總柵電荷 (Q_g)：約 39 nC
• 輸出電容 (C_oss)：約 1250 pF
• R_DS(on)：最大約 0.18 Ω

龍騰半導體多層（céng）外延MOS技術介紹
技術概述

龍騰半導體自主開發的超高壓950V超結SJ MOS平台采用了先進的‌多次外延結構設計‌，這是一（yī）種創新的功率半導體技術。該（gāi）技術在保（bǎo）證高耐壓的基礎（chǔ）上，有效（xiào）減少（shǎo）了器件內部的寄生電容，進一步優化了開關過（guò）程中（zhōng）的能量損失。

技術特點與優勢

極低導通損耗‌

Rsp(比導通電阻)較國際競品降低22.3%，顯著減少導通損耗
可在植物照明電源等應用（yòng）中實現更高能效

超快動態性能‌

FOM(Qgd)優化14.5%
開關損耗(Eon/Eoff)分別降低18.5%和43.1%
助力高頻電源設計簡化

卓（zhuó）越可（kě）靠性‌

Trr(反向恢複時間)縮短13.6%，減少開關噪聲
多次外延工藝增強了器件耐壓能力
支持950V高壓場景下的長（zhǎng）期穩定運行

工藝創新‌

采用多（duō）次外延結構設計
優化了器件內部電場（chǎng）分布
提高了整體性能和可靠（kào）性
應用（yòng）領域

龍騰半導（dǎo）體多層外延MOS技術廣泛應用於（yú）以下領域：

應用領域 具體（tǐ）應用場景
電源係統（tǒng） LED驅（qū）動電（diàn）源、適配器（qì）、PD充（chōng）電器（qì）、開關電源、計算機及（jí）服（fú）務器電源（yuán）
新能源 光伏逆變器、儲能係統、充電樁
工業電（diàn）子 電池（chí）化成電（diàn）源、工業電源
消費（fèi）電子 便攜儲能設備、戶外電源
技術對比分析

與傳統MOSFET技術相（xiàng）比，龍騰半導體多層外延MOS技術具有顯著優（yōu）勢：

與傳統平麵VDMOS對比‌

克服了導通電阻隨擊穿電壓急劇增大的缺點
提升了係統效率
保持了輸入阻抗高、開關（guān）速度快、工作頻率高等優（yōu）點

與常規（guī）超結MOSFET對比‌

采用多次外（wài）延（yán）工藝，增強了耐壓能力
優化了內部電場分布（bù）
提高了開關性能和可靠性

市場定位‌

填補（bǔ）了國產高端功率半導體器件空白
在950V高壓應（yīng）用場景具有競爭（zhēng）優勢
適用於對能效和可靠（kào）性要求（qiú）高的應用
技術發展前景

隨著可再生能源、新能源汽車及5G通信等領域的蓬勃發展，功率半導體的需求持續攀升。龍騰半導體多層（céng）外延MOS技術憑借其高（gāo）性能和可靠性（xìng），有望在以（yǐ）下領（lǐng）域獲（huò）得更廣泛應用：

新（xīn）能（néng）源汽車‌：車載充電機、DC-DC轉換器等（děng）
工業自動（dòng）化‌：伺服（fú）驅動、工業（yè）電源等（děng）
數據中（zhōng）心‌：服務器電源、UPS等
智（zhì）能家居（jū）‌：高效電源適配器等

該技術的持續創新將（jiāng）助力我國功率半導體（tǐ）產（chǎn）業提升國（guó）際競爭力，滿足日益增（zēng）長的高效能源轉換需（xū）求。