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泰科(kē)天潤發布1200V SiC MOSFET、2000V SiC單管(guǎn)和650V SiC混(hún)合單管新品

泰(tài)科天潤發布1200V SiC MOSFET、2000V SiC單管和650V SiC混合單管新品

產品詳情(qíng)

慕尼黑上海電子(zǐ)展 (Electronica China)圓滿收官。泰科天潤在此次展會上正式發布1200V 80mΩ SiC MOSFET、2000V係列產品和650V60A混合單管新品,吸引了國內外客戶(hù)及行業人士的廣泛(fàn)關注(zhù)。


第一款:泰科天潤(rùn)1200V 80mΩ SiC MOSFET

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具有更低的導通電阻,更低的開關損耗,更高的開關(guān)頻(pín)率,更高的工作溫度,Vth典型值超過3V。應用場(chǎng)景:光伏、OBC、UPS及電機驅動等。


第二(èr)款(kuǎn):泰科天潤650V60A混合單管(Si IGBT+SiC diode)

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可大(dà)幅降低IGBT的開關損耗,提高效率,降低溫升(shēng)。


第三款:2000V係列產品

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適用1500V光伏(fú)係統,高效率,更可靠(kào)。


關於泰科天潤:

泰科(kē)天潤半導體科技(北京)有(yǒu)限公司成(chéng)立於2011年,是中國(guó)碳(tàn)化矽(SiC)功率器件產業化的倡導者(zhě)之一(yī),致力於中國半導體功率(lǜ)器件製造(zào)產業的發(fā)展,並提供優質的半導體功率器件產品(pǐn)和專業服務(wù)。總部坐落於北京,擁有湖南一條年產6萬片/6英寸(cùn)SiC半導體晶圓生產(chǎn)線,2023年底擴產至年(nián)產10萬片。公司2023年年初北京8寸線動工,預計2025年實現(xiàn)年產(chǎn)10萬(wàn)片/8英寸SiC半導體晶圓(yuán)。泰科天(tiān)潤產品已經批量應用於PC電源、光伏逆變器(qì)、充電模塊、OBC、DC-DC等領域。 質量資質:ISO9001 / IATF16949 / RoHS / REACH/UL / DNV·GL / USCG / AEC-Q101等,產(chǎn)品質量(liàng)完全可以比肩國際(jì)同(tóng)行業的先進水(shuǐ)平(píng)。



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