30V低壓MOS 綠星SG30N04E DFN3*3
顛覆業界傳統的低壓MOS製程，大幅（fú）降低RDS內阻切換損失。
台灣綠（lǜ）星低壓（yā）MOS產品（pǐn）融入（rù）DG-FET深溝槽創新技術，將內阻值死磕到底，肉眼可見的出類拔萃。
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30V低壓MOS 綠星SG30N04E DFN3*3
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台灣綠星低（dī）壓MOS產品融入DG-FET深溝槽創新技術，將內阻值死磕到底，肉眼可見（jiàn）的出類拔萃。
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