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60V低壓MOS 綠（lǜ）星DG60N12I
顛覆業界傳（chuán）統的低壓MOS製程，大幅（fú）降（jiàng）低RDS內阻切換損失。
台灣綠（lǜ）星低壓MOS產品融入DG-FET深溝槽創新技術，將內阻值死磕到底，肉眼可（kě）見的出（chū）類拔萃。
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顛（diān）覆業界傳統的低壓MOS製程，大幅降低RDS內阻切換損失。
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