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100V低內阻MOS 綠星DG100N03S
顛覆業界傳統的低壓MOS製程，大幅降低RDS內阻切換（huàn）損（sǔn）失。
台灣綠星低壓MOS產品融入（rù）DG-FET深溝槽創新技術，將內阻值死磕（kē）到底，肉眼可見（jiàn）的出類拔萃。
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